[發(fā)明專利]金氧半場效晶體管布局結(jié)構(gòu)及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910174517.1 | 申請日： | 2009-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN102034821A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 彭國偉;劉中唯;周倩華 | 申請（專利權(quán)）人： | 登豐微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/088 | 分類號： | H01L27/088;H01L23/528;H01L21/8234;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 劉芳 |
| 地址： | 中國臺灣臺北縣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半場 晶體管 布局 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種金氧半場效晶體管布局結(jié)構(gòu)，包含：
復數(shù)個金氧半場效晶體管單元；
一第一源極金屬結(jié)構(gòu)，電性連接至該復數(shù)個金氧半場效晶體管單元的源極，于一預定軸方向該第一源極金屬結(jié)構(gòu)的寬度逐漸變窄；以及
一第一漏極金屬結(jié)構(gòu)，電性連接至該復數(shù)個金氧半場效晶體管單元的漏極，于該預定軸方向該第一漏極金屬結(jié)構(gòu)的寬度逐漸變寬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金氧半場效晶體管布局結(jié)構(gòu)，其中該第一源極金屬結(jié)構(gòu)是以階梯式變窄，而該第一漏極金屬結(jié)構(gòu)是以階梯式變寬。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金氧半場效晶體管布局結(jié)構(gòu)，還包含一源極導線結(jié)構(gòu)及一漏極導線結(jié)構(gòu)，該源極導線結(jié)構(gòu)電性連接該復數(shù)個金氧半場效晶體管單元的源極及該第一源極金屬結(jié)構(gòu)且成鋸尺狀，該漏極導線結(jié)構(gòu)電性連接該復數(shù)個金氧半場效晶體管單元的漏極及該第一漏極金屬結(jié)構(gòu)且成鋸尺狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金氧半場效晶體管布局結(jié)構(gòu)，其中該第一源極金屬結(jié)構(gòu)的面積與該第一漏極金屬結(jié)構(gòu)的面積相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金氧半場效晶體管布局結(jié)構(gòu)，還包含：
一第二源極金屬結(jié)構(gòu)，電性連接至第一源極金屬結(jié)構(gòu)，并于該預定軸方向該第二源極金屬結(jié)構(gòu)的寬度逐漸變寬；以及
一第二漏極金屬結(jié)構(gòu)，電性連接至該第一漏極金屬結(jié)構(gòu)，于該預定軸方向該第二漏極金屬結(jié)構(gòu)的寬度逐漸變窄。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的金氧半場效晶體管布局結(jié)構(gòu)，其中該第二源極金屬結(jié)構(gòu)是以階梯式變窄，而該第二漏極金屬結(jié)構(gòu)是以階梯式變寬。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金氧半場效晶體管布局結(jié)構(gòu)，其中該第二源極金屬結(jié)構(gòu)的面積與該第二漏極金屬結(jié)構(gòu)的面積相等。
8.一種金氧半場效晶體管布局方法，包含步驟：
形成一第一源極金屬結(jié)構(gòu)于復數(shù)個金氧半場效晶體管單元之上，并與該復數(shù)個金氧半場效晶體管單元的源極電性連接，且于一預定軸方向該第一源極金屬結(jié)構(gòu)的寬度逐漸變窄；以及
形成一第一漏極金屬結(jié)構(gòu)于復數(shù)個金氧半場效晶體管單元之上，并與該復數(shù)個金氧半場效晶體管單元的漏極電性連接，且于該預定軸方向該第一漏極金屬結(jié)構(gòu)的寬度逐漸變寬。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的金氧半場效晶體管布局方法，其中該第一源極金屬結(jié)構(gòu)是以階梯式變窄，而該第一漏極金屬結(jié)構(gòu)是以階梯式變寬。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的金氧半場效晶體管布局方法，還包含步驟：
形成一第二源極金屬結(jié)構(gòu)于該第一源極金屬結(jié)構(gòu)之上并與該第一源極金屬結(jié)構(gòu)電性連接，且于該預定軸方向該第二源極金屬結(jié)構(gòu)的寬度逐漸變寬；以及
形成一第二漏極金屬結(jié)構(gòu)于該第一漏極金屬結(jié)構(gòu)之上并與該第一漏極金屬結(jié)構(gòu)電性連接，且于該預定軸方向該第二漏極金屬結(jié)構(gòu)的寬度逐漸變窄。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的金氧半場效晶體管布局方法，其中該第二源極金屬結(jié)構(gòu)是以階梯式變窄，而該第二漏極金屬結(jié)構(gòu)是以階梯式變寬。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
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