[發明專利]氮化鎵系化合物半導體的制造方法

有效

• 申請號: 200910174420.0
• 申請日: 2009-10-30
• 公開（公告）號: CN102054907A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 陳敏璋;林瑞明;余晟輔;徐文慶;何思樺
• 申請（專利權）人: 昆山中辰矽晶有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/20;H01L33/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其步驟包含：

提供一氧化鋅系半導體層；

形成一沾濕層于該氧化鋅系半導體層之上；

氮化該沾濕層；

重復多次形成該沾濕層及氮化該沾濕層的步驟以形成一過渡層；

形成一氮化鎵系半導體層于該過渡層之上。

2.如申請專利范圍第1項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，形成該沾濕層系包含使用三甲基鋁、三甲基鎵、三甲基銦、三乙基鋁、三乙基鎵或三乙基銦反應前驅物。

3.如申請專利范圍第1項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，系包含使用氨氣、二甲基聯胺或第三丁基聯胺反應前驅物氮化該沾濕層。

4.如申請專利范圍第1項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，形成該過渡層的溫度不大于900℃。

5.如申請專利范圍第1項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，形成該氮化鎵系半導體層的最佳溫度范圍介于850～1050℃。

6.如申請專利范圍第1項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，該氧化鋅系半導體層系為形成于不同塊材基板之上。

7.如申請專利范圍第6項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，該不同塊材基板系包含藍寶石、碳化硅、氧化鎂、氧化鎵、氧化鋰鎵、氧化鋰鋁、尖晶石、硅、鍺、砷化鎵、磷化鎵、玻璃或二硼化鋯。

8.如申請專利范圍第6項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，該塊材基板更包含具凹凸圖案化的表面。

9.如申請專利范圍第1項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，該氧化鋅系半導體層系為一氧化鋅單晶塊材基板。

10.如申請專利范圍第1項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，形成該過渡層的方法，更包含于第一溫度下，形成一沾濕層于該氧化鋅系半導體層之上，于第二溫度下，氮化該沾濕層。

11.如申請專利范圍第10項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，第二溫度不小于第一溫度。

12.如申請專利范圍第1項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，該氧化鋅系半導體層更包含具有凹凸圖案化的表面。

13.一種氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其步驟包含：

提供一氧化鋅系半導體層；

形成一第一過渡層于該氧化鋅系半導體層之上；

形成一第二過渡層于該第一過渡層之上；以及

形成一氮化鎵系半導體層于該第二過渡層之上。

14.如申請專利范圍第13項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，形成該第一過渡層的方法，更包含重復多次形成一第一沾濕層及氮化該第一沾濕層的步驟。

15.如申請專利范圍第13項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，形成該第二過渡層的方法，更包含重復多次形成一第二沾濕層及氮化該第二沾濕層的步驟。

16.如申請專利范圍第13項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，形成該第二過渡層的溫度不小于形成該第一過渡層的溫度。

17.如申請專利范圍第14項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，系包含使用三甲基鋁、三甲基鎵、三甲基銦、三乙基鋁、三乙基鎵或三乙基銦反應前驅物，以形成該第一沾濕層。

18.如申請專利范圍第15項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，系包含使用三甲基鋁、三甲基鎵、三甲基銦、三乙基鋁、三乙基鎵或三乙基銦反應前驅物，以形成該第二沾濕層。

19.如申請專利范圍第13項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，系包含使用氨氣、二甲基聯胺或第三丁基聯胺反應前驅物形成該第一過渡層以及該第二過渡層的氮化沾濕層的步驟。

20.如申請專利范圍第13項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，該氧化鋅系半導體層更包含具有凹凸圖案化的表面。

21.如申請專利范圍第13項所述的氮化鎵系化合物半導體的制造方法，其中，提供的氧化鋅系半導體層系形成于一具凹凸圖案化的塊材基板之上。