[發明專利]封裝工藝及封裝結構

有效

• 申請號: 200910174057.2
• 申請日: 2009-10-20
• 公開（公告）號: CN102044447A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 沈啟智;陳仁川;潘彥良
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L25/00;H01L23/31
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種封裝工藝，包括：

提供承載板，該承載板上配置有粘著層；

將多個第一半導體元件配置于該粘著層上，且該多個第一半導體元件彼此分離并分別透過該粘著層固定于該承載板上；

在該承載板上形成第一封裝膠體，該第一封裝膠體覆蓋該多個第一半導體元件的側壁并填滿該多個第一半導體元件之間的間隙，以使該多個第一半導體元件與該第一封裝膠體形成芯片陣列板；

將多個第二半導體元件分別倒裝接合至該多個第一半導體元件上；

在該芯片陣列板上形成第二封裝膠體，該第二封裝膠體至少覆蓋該多個第二半導體元件的側壁并填滿該多個第二半導體元件之間的間隙；

分離該芯片陣列板與該粘著層；以及

沿著該多個第二半導體元件之間的間隙切割該第二封裝膠體與該第一封裝膠體，以形成多個芯片封裝單元。

2.如權利要求1所述的封裝工藝，其中各該第一半導體元件具有多個直通硅晶穿孔結構，且該封裝工藝還包括：

在形成該芯片陣列板之后，研磨該芯片陣列板，以薄化該芯片陣列板并露出各該第一半導體元件的該多個直通硅晶穿孔結構的端面。

3.如權利要求2所述的封裝工藝，其中研磨該芯片陣列板的方法包括：

研磨該芯片陣列板直到該芯片陣列板的厚度實質上小于或等于4密爾。

4.如權利要求1所述的封裝工藝，還包括：

在形成該芯片陣列板之后，在該多個第一半導體元件上分別形成多個彼此分離的第一底膠，其中各該第一底膠覆蓋對應的該第一半導體元件以及該第一封裝膠體的圍繞對應的該第一半導體元件的部分，且在將該多個第二半導體元件分別倒裝接合至該多個第一半導體元件上時，各該第二半導體元件的多個導電凸塊通過對應的該第一底膠而與對應的該第一半導體元件接合。

5.如權利要求1所述的封裝工藝，還包括：

將該芯片封裝單元配置于線路基板上，以使該第一半導體元件電性與結構性連接該線路基板。

6.如權利要求5所述的封裝工藝，還包括：

在該線路基板上形成第二底膠，以使該第二底膠位于該芯片封裝單元的該第一半導體元件與該線路基板之間并包覆該第一半導體元件的多個導電凸塊。

7.如權利要求5所述的封裝工藝，還包括：

在該線路基板上形成第三封裝膠體，該第三封裝膠體至少覆蓋該芯片封裝單元的側壁。

8.一種封裝結構，包括：

第一半導體元件；

第一封裝膠體，包覆該第一半導體元件的側壁；

第二半導體元件，配置于該第一半導體元件與部分該第一封裝膠體上，且該第二半導體元件的尺寸大于該第一半導體元件的尺寸；以及

第二封裝膠體，至少覆蓋該第二半導體元件的側壁以及該第一封裝膠體，其中該第一封裝膠體與該第二封裝膠體為各自成型。

9.如權利要求8所述的封裝結構，其中該第一封裝膠體的側壁切齊于該第二封裝膠體的側壁。

10.如權利要求8所述的封裝結構，其中該第一封裝膠體的朝向該第二半導體元件的第一頂面切齊于該第一半導體元件的朝向該第二半導體元件的第二頂面。

11.如權利要求10所述的封裝結構，其中該第一封裝膠體的厚度實質上等于該第一半導體元件的厚度。

12.如權利要求8所述的封裝結構，其中該第二半導體元件具有位于該第二半導體元件與該第一半導體元件之間的多個導電凸塊，且該封裝結構還包括：

底膠，配置于該第二半導體元件與該第一半導體元件之間以及該第二半導體元件與該第一封裝膠體之間，以包覆該第二半導體元件的該多個導電凸塊。

13.如權利要求8所述的封裝結構，其中該第一半導體元件的厚度實質上小于或等于4密爾。

14.如權利要求8所述的封裝結構，其中該第二封裝膠體更覆蓋該第二半導體元件的遠離該第一半導體元件的頂面。

15.如權利要求8所述的封裝結構，其中該第二封裝膠體暴露出該第二半導體元件的遠離該第一半導體元件的頂面。

16.如權利要求8所述的封裝結構，其中該第一半導體元件的遠離該第二半導體元件的底面上配置有多個導電凸塊。