[發(fā)明專利]用于TSV銅附著的Z形結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910173952.2
• 申請(qǐng)日: 2009-09-24
• 公開（公告）號(hào): CN101714539A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳志華;陳承先;郭正錚;沈文維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L23/522;H01L21/60;H01L21/768
• 代理公司: 北京市德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 梁永

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，其具有第一導(dǎo)電物件；

在所述第一導(dǎo)電物件之上的鈍化層；

第一接觸襯墊，其延伸穿過所述鈍化層中的多個(gè)開口以形成與所述第 一導(dǎo)電物件的多個(gè)間斷接觸；

阻擋層，部分位于所述第一接觸襯墊之上；以及

導(dǎo)電材料，位于所述阻擋層之上，

所述第一接觸襯墊為硅通孔接觸襯墊(301)，所述鈍化層為第一鈍化 層(201)，所述硅通孔接觸襯墊在第一鈍化層(201)之上共形地形成，

所述硅通孔的開口(501)位于所述硅通孔接觸襯墊(301)之外側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述間斷接觸在第一方向 上間斷，在基本垂直于所述第一方向的第二方向上連續(xù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述間斷接觸在第一方向 和第二方向上間斷，所述第二方向基本垂直于所述第一方向，其中所述間 斷接觸形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括位于所述第一接觸襯墊 之上的第二導(dǎo)電物件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第二導(dǎo)電物件，其位于所述襯底之內(nèi)；以及

第二接觸襯墊，其延伸穿過所述鈍化層，其與所述第二導(dǎo)電物件具有 基本平面的分界面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括與所述第一接觸襯墊電 連接的穿透硅通孔，

其中所述第一接觸襯墊位于所述襯底的第一面，所述穿透硅通孔與所 述襯底上與所述第一面相對(duì)的第二面上的導(dǎo)體接觸。

7.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底之上的金屬層；

在所述金屬層之上的鈍化層；

第一導(dǎo)體，其延伸穿過所述鈍化層內(nèi)的多個(gè)開口，與最上層金屬層共 用界面，其中，在第一方向，所述第一導(dǎo)體在接觸所述最上層金屬層和所 述鈍化層之間交替；

阻擋層，部分位于所述第一導(dǎo)體之上；以及

導(dǎo)電材料，位于所述阻擋層之上，

所述第一導(dǎo)體為硅通孔接觸襯墊(301)，所述鈍化層為第一鈍化層 (201)，所述硅通孔接觸襯墊在第一鈍化層(201)之上共形地形成，

所述硅通孔的開口(501)位于所述硅通孔接觸襯墊(301)之外側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，還包括穿透硅通孔，其至少部 分延伸穿過所述半導(dǎo)體襯底，所述穿透硅通孔與所述第一導(dǎo)體接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，在與所述第一方向基本 垂直的第二方向，所述第一導(dǎo)體在接觸最上層金屬層和所述鈍化層之間交 替，其中所述界面形成基本對(duì)稱的接觸網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，還包括與所述第一導(dǎo)體位置 不同的第二導(dǎo)體，其具有介于所述第二導(dǎo)體和所述最上層金屬層的部分之 間的平面的分界面。

11.一種半導(dǎo)體器件，包括：

包括第一金屬層的半導(dǎo)體襯底；

在所述第一金屬層的部分之上的鈍化層；

第一導(dǎo)電層，其形狀為具有多個(gè)穿過所述鈍化層的延伸Z形結(jié)構(gòu)以形 成與所述第一金屬層的多個(gè)接觸點(diǎn)，所述第一導(dǎo)電層接觸所述第一金屬層 的30％到70％；

阻擋層，部分位于所述第一導(dǎo)電層之上；以及

導(dǎo)電材料，位于所述阻擋層之上，

所述第一導(dǎo)電層為硅通孔接觸襯墊(301)，所述鈍化層為第一鈍化層 (201)，所述硅通孔接觸襯墊在第一鈍化層(201)之上共形地形成，

所述硅通孔的開口(501)位于所述硅通孔接觸襯墊(301)之外側(cè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，還包括第二導(dǎo)電層，其將所 述第一導(dǎo)電層電連接到硅通孔。