[發(fā)明專利]薄膜晶體管以及制造薄膜晶體管的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910173792.1
• 申請日: 2009-09-17
• 公開（公告）號: CN101710592A
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發(fā)明（設計）人: 德永和彥
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/34;H01L21/314
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳孟秋;梁韜

1.一種薄膜晶體管，包括：

溝道層，主要包含氧化鋅、氧化銦錫以及In-M-Zn-O的 導電性氧化物半導體，其中M是Ga、Al、Fe和Sn中的一種 或多種；

位于所述溝道層上的一對電極，在所述溝道層的面內方 向通過其間的預定間隙彼此相對；以及

保護膜，覆蓋所述溝道層的暴露于所述一對電極之間的 間隙的暴露面，其中

所述保護膜從所述溝道層側開始依次至少包括與所述溝 道層接觸的氧氣傳輸膜以及與所述氧氣傳輸膜相比幾乎不傳 輸氧氣的氧氣阻隔膜，其中，在所述氧氣傳輸膜中，所述氧氣 傳輸膜的端面以及所述氧氣傳輸膜的上表面中的所述端面附 近、或者僅所述端面暴露于所述保護膜的端面，并且

所述氧氣阻隔膜在所述一對電極的相對方向中的長度等 于或大于通過將所述一對電極在與所述一對電極彼此相對的 方向垂直的方向中的寬度乘以0.55而獲得的值，所述寬度大 于10μm且小于50μm。

2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述氧氣傳輸膜和 所述氧氣阻隔膜在與所述一對電極彼此相對的方向垂直的方 向中的寬度大于所述一對電極在與所述一對電極彼此相對的 方向垂直的方向中的寬度。

3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述氧氣阻隔膜主 要包含SiN。

4.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述氧氣傳輸膜主 要包含SiO₂。

5.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，在所述溝道層的所 述暴露面的下方，從所述溝道層的所述暴露面?zhèn)乳_始依次設置 柵極絕緣膜和柵電極。

6.一種制造薄膜晶體管的方法，包括以下步驟：

在主要包含氧化鋅、氧化銦錫以及In-M-Zn-O的導電性 氧化物半導體的溝道層上形成保護膜，所述保護膜覆蓋所述溝 道層的一部分，并且從所述溝道層側開始依次至少包括與所述 溝道層接觸的氧氣傳輸膜以及與所述氧氣傳輸膜相比幾乎不 傳輸氧氣的氧氣阻隔膜，其中，在所述氧氣傳輸膜中，所述氧 氣傳輸膜的端面以及所述氧氣傳輸膜的上表面中的所述端面 附近、或者僅所述端面暴露于所述保護膜的端面，并且M是 Ga、Al、Fe和Sn中的一種或多種；

形成通過其間的所述保護膜彼此相對的一對電極，使得 所述氧氣阻隔膜在所述一對電極彼此相對的方向中的長度等 于或大于通過將所述一對電極在與所述一對電極彼此相對的 方向垂直的方向中的寬度乘以0.55而獲得的值，所述寬度大 于10μm且小于50μm；以及

在不會使所述溝道層的組成改變的范圍內的高溫和時間 下，將所述保護膜暴露于包含氧氣的氣氛。