[發(fā)明專利]集成無源器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910173649.2 | 申請日: | 2006-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN101645444A | 公開(公告)日: | 2010-02-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 安東尼·M·基烏;伊農(nóng)·德加尼;查利·春雷·高;孫昆泉;孫立國 | 申請(專利權(quán))人: | 賽騎有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L27/01;H01L23/66 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 李 渤 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成 無源 器件 | ||
1.一種器件,包括
a.基板,
b.利用附著層附著到所述基板的集成無源器件,該集成無源器件包括包含至少一個電感器元件的第一部分和包含至少一個數(shù)字元件的第二部分,其中所述附著層的一部分位于所述電感器元件之下并且是不導(dǎo)電的,所述附著層的另一部分位于所述數(shù)字元件之下并且是導(dǎo)電的。
2.如權(quán)利要求1所述的器件,其中所述附著層的不導(dǎo)電部分是電氣絕緣導(dǎo)熱單元片附著材料。
3.如權(quán)利要求1所述的器件,其中所述基板包括多晶硅。
4.如權(quán)利要求3所述的器件,其中多晶硅基板的電阻率大于0.1KOhm-cm。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





