[發明專利]一種多掩模的光刻機硅片臺系統

有效

• 申請號: 200910172952.0
• 申請日: 2009-09-11
• 公開（公告）號: CN101694562A
• 公開（公告）日: 2010-04-14
• 發明（設計）人: 朱煜;張鳴;汪勁松;田麗;徐登峰;尹文生;段廣洪;胡金春;許巖
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 邸更巖

1.一種多掩模的光刻機硅片臺系統，該系統含有基臺(1)，至少一個硅片臺，一組光學透鏡(4)和掩模臺系統，其特征在于：所述的掩模臺系統包括掩模臺基座(5)和掩模承載臺(6)，掩模臺基座(5)長邊為Y方向，短邊為X方向，所述的掩模承載臺(6)在掩模臺基座(5)上沿Y方向作直線運動，掩模承載臺(6)上沿Y方向至少設置兩個掩模版安裝槽，每個掩模版安裝槽內放置一個掩模版；

在進行掃描曝光工序時，根據硅片的尺寸，預先在待刻硅片上劃分出若干區域，每個這樣的區域稱為一個場；在曝光每一個場的過程中，首先，掩模承載臺(6)沿著Y方向向右運動，所述至少兩個掩模版(7a，7b)依次經過投影區，但只有第一掩模版（7a）被掃描，同時地，曝光硅片臺做與掩模承載臺(6)的反向運動，沿著Y方向向左運動，此時，第一掩模版(7a)的圖案刻在硅片上，掩模承載臺(6)減速反向，同時，冷卻裝置使硅片上的光刻膠急速冷卻，之后，曝光硅片臺減速反向；然后，掩模承載臺(6)沿著Y方向向左運動，所述至少兩個掩模版(7a，7b)依次再經過投影區，此時只有第二掩模版(7b)被掃描，同時地，曝光硅片臺仍做與掩模承載臺(6)的反向運動，沿著Y方向向右運動，這次，第二掩模版(7b)的圖案刻在硅片上，掩模承載臺(6)減速反向，同時，冷卻裝置使待刻硅片上的光刻膠急速冷卻，之后，曝光硅片臺減速反向；然后同樣依次掃描其它掩膜版，使其它掩膜版的圖案刻在硅片上；所述至少兩個掩模版在同一個場都掃描完成后，所述曝光硅片臺(3)步進至下一場繼續曝光，并依次循環曝光其它場。

2.按照權利要求1所述的一種多掩模的光刻機硅片臺系統，其特征在于：所述的掩模承載臺(6)在掩模臺基座(5)上沿Y方向作直線運動采用氣浮導軌和直線電機做導向驅動，或采用直線導軌、滾珠絲杠和伺服電機做導向驅動。?