[發(fā)明專利]玻璃襯底上光控制備硅薄膜太陽能電池的方法及沉積室

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910172569.5
• 申請日: 2009-11-16
• 公開（公告）號: CN101719528A
• 公開（公告）日: 2010-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 靳瑞敏;李定珍;王玉蒼;郭新峰
• 申請（專利權(quán)）人: 靳瑞敏
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C14/18;C23C14/24
• 代理公司: 鄭州紅元帥專利代理事務(wù)所(普通合伙) 41117
• 代理人: 莊振乾

1.一種玻璃襯底上光控制備硅薄膜太陽能電池的方法，其特征在于是按 下述步驟制備而成：

(1)、以標(biāo)準(zhǔn)工藝清洗的帶有織構(gòu)的透明導(dǎo)電膜的玻璃為襯底；

(2)、將清洗過的玻璃襯底置于沉積室中，用所需頻率的光照，依次用等 離子體反應(yīng)沉積，制備穩(wěn)定均勻的p、i、n層硅薄膜太陽能電池，用頻率為 1.2×10¹⁴Hz和2×10¹⁵Hz照射；光照退火時(shí)間2-70分鐘，不同的頻率的光子 能量不同，產(chǎn)生不同性質(zhì)的多晶硅薄膜，在真空狀態(tài)下自然冷卻到室溫；

(3)、然后取出，然后再蒸鍍金屬電極鋁，電池電極從透明導(dǎo)電膜和鋁引 出，這樣就在玻璃襯底上制備硅薄太陽能電池。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底上光控制備硅薄膜太陽能電池的方法， 其特征在于：所述沉積和光照的步驟可以在沉積室內(nèi)沉積、光照退火一次完成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底上光控制備硅薄膜太陽能電池的方法， 其特征在于：所述沉積和光照的步驟可以根據(jù)需要在沉積室內(nèi)沉積、光照退火 交替多次進(jìn)行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底上光控制備硅薄膜太陽能電池的方法， 其特征在于：所述光照退火處理過程中的最高溫度應(yīng)稍微高于玻璃軟化點(diǎn)溫度， 這樣可以使玻璃軟化，與硅膜因處理過程中產(chǎn)生的變化相適應(yīng)。