[發明專利]光電組件及其制造方法以及具有多個光電組件的裝置

有效

• 申請號: 200910171922.8
• 申請日: 2005-02-18
• 公開（公告）號: CN101685823A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: 拉爾夫·維爾特;赫貝特·布倫納;斯特凡·伊萊克;迪特爾·艾斯勒
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L21/8222;H01L31/0224;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 煒;許偉群

1.一種光電組件(1)，包括具有有源區(400)和橫向的主延伸方向的 半導體功能區域(2)，其特征在于，

-所述半導體功能區域具有至少一個穿過所述有源區的貫穿部(9、 27、29)，并在所述貫穿部的區域內設置有連接導體材料(8)，其與所述 有源區至少在所述貫穿部的一部分區域內電隔離，并且

-在所述半導體功能區域之后設置有至少一種吸收物質或一種熒光 物質。

2.根據權利要求1所述的光電組件，其特征在于，所述連接導體材料(8) 至少部分地通過隔離材料(10)與所述有源區(400)電隔離。

3.根據權利要求1或2所述的光電組件，其特征在于，所述貫穿部構建 為在橫向上的凹處(27)，或者側面(26)具有在橫向上的凹處。

4.根據權利要求2所述的光電組件，其特征在于，所述隔離材料(10) 至少部分地涂覆所述貫穿部(9、27、29)，或者至少部分地設置在側面 (26)上。

5.根據權利要求1或2所述的光電組件，其特征在于，所述貫穿部(9、 27、29)在垂直方向上穿過整個所述半導體功能區域(2)而延伸。

6.根據權利要求1或2所述的光電組件，其特征在于，所述半導體功能 區域(2)具有第一主面(6)和與所述第一主面關于所述有源區(400) 對置的第二主面(13)，并且所述半導體功能區域在所述第一主面側與所 述連接導體材料(8)導電地相連接。

7.根據權利要求6所述的光電組件，其特征在于，所述連接導體材料(8) 與所述半導體功能區域(2)的所述第二主面(13)電隔離。

8.根據權利要求1或2所述的光電組件，其特征在于，所述貫穿部(9、 27、29)的橫向的尺寸為100μm。

9.根據權利要求1或2所述的光電組件，其特征在于，所述半導體功能 區域(2)至少部分地由包封(4)成形。

10.根據權利要求9所述的光電組件，其特征在于，所述包封(4)對于 待由所述有源區(400)產生或接收的輻射是能穿透的。

11.根據權利要求1或2所述的光電組件，其特征在于，所述有源區(400) 被密閉的封裝(16)包圍。

12.根據權利要求1或2所述的光電組件，其特征在于，所述半導體功 能區域(2)設置在承載體(3)上。

13.根據權利要求12所述的光電組件，其特征在于，所述連接導體材料 (8)一直延伸到所述承載體的與所述半導體功能區域對置的一側。

14.根據權利要求1或2所述的光電組件，其特征在于，所述組件(1) 能夠在晶片復合(300、200)中實現。

15.根據權利要求1或2所述的光電組件，其特征在于，所述貫穿部(9、 27、29)的橫向的尺寸為50μm或更小。

16.一種光電組件(1)，包括具有有源區(400)和橫向的主延伸方向的 半導體功能區域(2)，其特征在于，

-所述半導體功能區域具有橫向的、形成所述有源區邊界的側面 (26)，并在橫向上在所述側面之后設置有連接導體材料(8)，其與所述 有源區至少在所述側面的一部分區域內電隔離，并且

-在所述半導體功能區域之后設置有至少一種吸收物質或一種熒光 物質。

17.根據權利要求16所述的光電組件，其特征在于，所述連接導體材料 (8)至少部分地通過隔離材料(10)與所述有源區(400)電隔離。

18.根據權利要求16或17所述的光電組件，其特征在于，所述貫穿部 構建為在橫向上的凹處(27)，或者側面(26)具有在橫向上的凹處。