[發(fā)明專利]具有晶片層次的巨透鏡的影像感測器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910171678.5 | 申請日: | 2009-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN102013430A | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張宇軒 | 申請(專利權)人: | 英屬蓋曼群島商恒景科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 英屬蓋曼群島大蓋曼島賀*** | 國省代碼: | 英國;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 晶片 層次 透鏡 影像 感測器 | ||
1.一種具有晶片層次的巨透鏡的影像感測器,其特征在于其包含:
一半導體基底,其內(nèi)具有多個光檢測器;
一堆疊層,位于該半導體基底上方,該堆疊層內(nèi)形成有多個金屬層;以及
一晶片層次的巨透鏡,形成于該堆疊層上方。
2.根據(jù)權利要求1所述的具有晶片層次的巨透鏡的影像感測器,其特征在于其中上述的影像感測器為互補金屬氧化半導體感測器。
3.根據(jù)權利要求1所述的具有晶片層次的巨透鏡的影像感測器,其特征在于其中上述的光檢測器包含光電二極管。
4.根據(jù)權利要求1所述的具有晶片層次的巨透鏡的影像感測器,其特征在于其更包含介層窗,連接于該金屬層之間,以形成金屬內(nèi)連線。
5.根據(jù)權利要求1所述的影像感測器,其特征在于其中上述的堆疊層內(nèi)更包含彩色濾光片。
6.根據(jù)權利要求1所述的具有晶片層次的巨透鏡的影像感測器,其特征在于其更包含多個微透鏡,形成于該堆疊層上方,分別對應至各該光檢測器。
7.根據(jù)權利要求6所述的具有晶片層次的巨透鏡的影像感測器,其特征在于其更包含一介電層,其埋置該微透鏡。
8.根據(jù)權利要求1所述的具有晶片層次的巨透鏡的影像感測器,其特征在于其中上述的巨透鏡覆蓋該多個光檢測器所形成的像素陣列的至少一部分。
9.根據(jù)權利要求1所述的具有晶片層次的巨透鏡的影像感測器,其特征在于其中上述的巨透鏡的底面為一平面,其頂面為一凸面。
10.根據(jù)權利要求1所述的具有晶片層次的巨透鏡的影像感測器,其特征在于其更包含一模組層次的凸透鏡,位于該巨透鏡的上方。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





