[發明專利]碳納米管制造方法、碳納米管膜制造方法和電子設備制造方法

無效

• 申請號: 200910171619.8
• 申請日: 2009-08-31
• 公開（公告）號: CN102001620A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 梶浦尚志;李勇明;王家平;孫靜;高濂;王焱;張婧
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;C01B31/02
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種碳納米管制造方法，其特征在于，包括：

使用含有具有氨基的化合物的溶液或者氨水處理酸化的碳納米管的步驟。

2.根據權利要求1所述的碳納米管制造方法，其特征在于，進一步包括：

在使用所述含有具有氨基的化合物的溶液或者氨水處理所述碳納米管之前、使用含有與羧基反應并生成-COCl的化合物的溶液處理所述碳納米管的步驟。

3.根據權利要求1所述的碳納米管制造方法，其特征在于，

所述具有氨基的化合物是所述氨基和羧基反應并取代所述羧基中含有的羥基的化合物。

4.根據權利要求2所述的碳納米管制造方法，其特征在于，

所述與羧基反應并生成-COCl的化合物是選自由SOCl₂、(COCl)₂、PCl₃、POCl₃以及PCl₅構成的組中的至少一種化合物。

5.根據權利要求1所述的碳納米管制造方法，其特征在于，

使用所述含有具有氨基的化合物的溶液進行處理的溫度在25℃以上，且低于所述含有具有氨基的化合物的溶液的溶劑的沸點。

6.根據權利要求1所述的碳納米管制造方法，其特征在于，

使用所述含有具有氨基的化合物的溶液進行處理的溫度是25℃以上、90℃以下。

7.根據權利要求1所述的碳納米管制造方法，其特征在于，

所述碳納米管是單壁碳納米管。

8.一種碳納米管膜制造方法，其特征在于，包括：

使用碳納米管制造碳納米管膜的步驟，所述碳納米管是通過使用含有具有氨基的化合物的溶液或者氨水來處理酸化的碳納米管而制造的。

9.根據權利要求8所述的碳納米管膜制造方法，其特征在于，包括：

通過使用所述含有具有氨基的化合物的溶液或者氨水來處理所述酸化的碳納米管、從而制造所述碳納米管的步驟。

10.根據權利要求9所述的碳納米管膜制造方法，其特征在于，進一步包括：

在使用所述含有具有氨基的化合物的溶液或者氨水來處理所述碳納米管之前、使用含有與羧基反應并生成-COCl的化合物的溶液來處理所述碳納米管的步驟。

11.一種電子設備制造方法，其特征在于，

使用碳納米管或者利用所述碳納米管制造的碳納米管膜來制造電子設備，所述碳納米管是通過使用含有具有氨基的化合物的溶液或者氨水來處理酸化的碳納米管而制造的。

12.根據權利要求11所述的電子設備制造方法，其特征在于，包括：

通過使用所述含有具有氨基的化合物的溶液或者氨水來處理所述酸化的碳納米管從而制造所述碳納米管的步驟。

13.根據權利要求11所述的電子設備制造方法，其特征在于，包括：

使用碳納米管制造所述碳納米管膜的步驟，所述碳納米管是通過使用所述含有具有氨基的化合物的溶液或者氨水來處理所述酸化的碳納米管而制造的。

14.根據權利要求11所述的電子設備制造方法，其特征在于，包括：

通過使用所述含有具有氨基的化合物的溶液或者氨水來處理所述酸化的碳納米管從而制造所述碳納米管的步驟；以及使用所述碳納米管來制造所述碳納米管膜的步驟。

15.根據權利要求14所述的電子設備制造方法，其特征在于，進一步包括：

在使用所述含有具有氨基的化合物的溶液或者氨水處理所述碳納米管之前、使用含有與羧基反應并生成-COCl的化合物的溶液處理所述碳納米管的步驟。