[發(fā)明專利]防治組培苗污染的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910171202.1
• 申請日: 2009-08-25
• 公開（公告）號: CN101627727A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發(fā)明（設計）人: 孫治軍;張志芬;丁強;史淑一;張忠蘭
• 申請（專利權）人: 山東省煙臺農(nóng)業(yè)學校
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 北京雙收知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 盧 新

1.一種防治組培苗污染的方法，其特征在于，污染的組培苗經(jīng)過至少一個接轉周期， 即可消除組培苗的污染，

其中所述每個接轉周期包括如下兩個步驟：

1)、將氯化汞添加到組培苗的培養(yǎng)基中；

2)、將污染的組培苗接轉到含有氯化汞的培養(yǎng)基上；

其中所述的組培苗培養(yǎng)基中的氯化汞的濃度為0.002-0.07mg/L；所述的每個接轉周期為 5-20天。

2.如權利要求1所述的防治組培苗污染的方法，其特征在于，所述的組培苗培養(yǎng)基中 氯化汞的含量越高，所需每個接轉周期的時間越短，當組培苗培養(yǎng)基中氯化汞的濃度為0.002 mg/L時，所需的每個接轉周期10-20天，當氯化汞的濃度為0.07mg/L時，所需的每個接轉 周期為5-10天。

3.如權利要求2所述的防治組培苗污染的方法，其特征在于，所述的組培苗培養(yǎng)基的 pH值為5.6-6.0。

4.如權利要求3所述的防治組培苗污染的方法，其特征在于，所述組培苗的培養(yǎng)溫度 為21-25℃，光照條件為每日12-14小時，光照強度為2000-3000lx。