[發(fā)明專利]激光加工方法以及激光加工裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910171081.0
• 申請日: 2001-09-13
• 公開（公告）號: CN101670485A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 福世文嗣;福滿憲志;內(nèi)山直己;和久田敏光
• 申請（專利權(quán)）人: 浜松光子學(xué)株式會社
• 主分類號: B23K26/00
• 分類號: B23K26/00;B23K26/40;B23K26/06;B23K26/04;B23K26/073
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

1.一種激光加工方法，其特征在于，

包括：

定位工序，在加工對象物的內(nèi)部，確定從所述加工對象物的表面 起沿著所述加工對象物的厚度方向、離開第1距離的第1位置、離開 比所述第1距離短的第2距離的第2位置、以及離開比所述第1距離 長的第3距離的第3位置；

形成第1改質(zhì)區(qū)的工序，在確定所述第1位置、所述第2位置和 所述第3位置后，通過使聚光點對準所述第1位置而照射激光，從而 沿著所述加工對象物的切割預(yù)定線，不熔融所述加工對象物的激光入 射面，僅在所述加工對象物的內(nèi)部形成作為切割起點的第1改質(zhì)區(qū)； 和

形成第2和第3改質(zhì)區(qū)的工序，在形成所述第1改質(zhì)區(qū)后，通過 使聚光點對準所述第2位置而照射激光，從而沿著所述切割預(yù)定線， 不熔融所述加工對象物的所述激光入射面，僅在所述加工對象物的內(nèi) 部形成作為切割起點的第2改質(zhì)區(qū)，通過使聚光點對準所述第3位置 而照射激光，從而沿著所述切割預(yù)定線，不熔融所述加工對象物的所 述激光入射面，僅在所述加工對象物的內(nèi)部形成作為切割起點的第3 改質(zhì)區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

所述加工對象物是半導(dǎo)體晶片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

所述加工對象物是在表面形成了電極圖形的基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

所述加工對象物是在表面形成了電子器件的基板。

5.一種加工對象物的切割方法，其特征在于，

包括：形成改質(zhì)區(qū)的工序，使聚光點對準放置在載置臺上的加工 對象物的內(nèi)部，照射脈沖寬度為1μs以下且聚光點處的峰值功率密度 為1×10⁸W/cm²以上的脈沖激光，從而沿著所述加工對象物的切割預(yù) 定線，在所述加工對象物的內(nèi)部形成多個改質(zhì)點，不使所述加工對象 物的激光入射面熔融而由多個所述改質(zhì)點僅在所述加工對象物的內(nèi)部 形成作為切割起點的改質(zhì)區(qū)；

通過在所述加工對象物的厚度方向上的比厚度的一半的位置更遠 離加工對象物的激光入射面的位置上，使所述脈沖激光聚光，從而形 成所述改質(zhì)點，由從所述改質(zhì)區(qū)向所述加工對象物的與所述激光入射 面相對的面一側(cè)自然生長的裂紋，在與所述激光入射面相對的面上產(chǎn) 生沿著所述切割預(yù)定線的裂紋。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加工對象物的切割方法，其特征在于，

所述改質(zhì)點為裂紋點，所述改質(zhì)區(qū)為裂紋區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加工對象物的切割方法，其特征在于，

所述改質(zhì)點為熔融處理點，所述改質(zhì)區(qū)為熔融處理區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加工對象物的切割方法，其特征在于，

所述激光的照射條件為：照射聚光點處的峰值功率密度為1×10⁸W /cm²以上且脈沖寬度為1ns以下的脈沖激光，

所述改質(zhì)點為折射率變化點，所述改質(zhì)區(qū)為折射率變化區(qū)。