[發(fā)明專利]等離子體處理方法及抗蝕劑圖案的改性方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910171072.1
• 申請日: 2009-09-04
• 公開（公告）號: CN101667543A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 富士原仁
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/00;G03F7/36
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

1.一種等離子體處理方法，其特征在于，包括：

改性工序；和

對改性后的抗蝕劑圖案進行等離子體蝕刻而加以修整的修整工序，其中，

所述改性工序使用等離子體處理裝置，

所述等離子體處理裝置包括：收容被處理基板，內(nèi)部能夠真空排氣的處理容器；配置在所述處理容器內(nèi)，作為基板的載置臺發(fā)揮功能的下部電極；以與所述下部電極相對的方式配置在所述處理容器內(nèi)的上部電極；對所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給單元；對所述上部電極或下部電極的至少一方施加高頻電力生成等離子體的高頻電力施加單元；和對所述上部電極施加負的直流電壓的直流電源，

在所述下部電極載置有表面形成有抗蝕劑圖案的被處理基板的狀態(tài)下，從所述處理氣體供給單元對所述處理容器內(nèi)供給改性用處理氣體，從所述高頻電力施加單元施加高頻電力生成改性用處理氣體的等離子體，并且通過從所述直流電源對所述上部電極施加負的直流電壓從而對所述抗蝕劑圖案進行改性。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述修整工序，接著在所述等離子體處理裝置內(nèi)對所述抗蝕劑圖案加以改性的工序而進行。

3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述修整工序，在對所述抗蝕劑圖案進行改性的工序之后，在所述被處理基板載置于所述下部電極的狀態(tài)下，從所述處理氣體供給單元向所述處理容器內(nèi)供給修整用處理氣體，從所述高頻電力施加單元施加高頻電力，生成修整用處理氣體的等離子體，利用該等離子體對所述抗蝕劑圖案進行蝕刻。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述改性用處理氣體包含碳氟化合物氣體。

5.如權(quán)利要求4所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述碳氟化合物氣體為CF₄氣體。

6.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的等離子體處理方法，其特征在于：

對所述抗蝕劑圖案進行改性的工序，使來自所述直流電源的直流電壓值設(shè)定在0～-1500V但不包括0的范圍內(nèi)而進行。

7.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述抗蝕劑圖案使用ArF抗蝕劑構(gòu)成。

8.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的等離子體處理方法，其特征在于：

通過對所述抗蝕劑圖案進行改性的工序在所述抗蝕劑圖案的表面形成改性層，所述改性層的厚度比通過所述修整工序被蝕刻的蝕刻量厚。

9.一種抗蝕劑圖案的改性方法，其使用等離子體處理裝置，在對形成于被處理基板上的抗蝕劑圖案進行等離子體蝕刻并修整之前先對所述抗蝕劑圖案進行改性，所述等離子體處理裝置包括：

收容被處理基板，內(nèi)部能夠真空排氣的處理容器；

配置在所述處理容器內(nèi)，作為基板的載置臺發(fā)揮功能的下部電極；

以與所述下部電極相對的方式配置在所述處理容器內(nèi)的上部電極；

對所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給單元；

對所述上部電極或下部電極的至少一方施加高頻電力生成等離子體的高頻電力施加單元；和

對所述上部電極施加負的直流電壓的直流電源，

所述抗蝕劑圖案的改性方法的特征在于：

在所述下部電極載置有被處理基板的狀態(tài)下，從所述處理氣體供給單元向所述處理容器內(nèi)供給改性用處理氣體，從所述高頻電力施加單元施加高頻電力，生成改性用處理氣體的等離子體，進一步通過從所述直流電源對所述上部電極施加負的直流電壓，從而對所述抗蝕劑圖案進行改性。

10.如權(quán)利要求9所述的抗蝕劑圖案的改性方法，其特征在于：

所述改性用處理氣體包含碳氟化合物氣體。

11.如權(quán)利要求10所述的抗蝕劑圖案的改性方法，其特征在于：

所述碳氟化合物氣體為CF₄氣體。

12.如權(quán)利要求9～11中任一項所述的抗蝕劑圖案的改性方法，其特征在于：

來自所述直流電源的直流電壓值在0～-1500V但不包括0的范圍內(nèi)。