[發(fā)明專利]信息記錄介質(zhì)和光記錄再生裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910171028.0
• 申請日: 2009-08-28
• 公開（公告）號: CN101714368A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設計）人: 江藤宗一郎;新谷俊通;峰邑浩行
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24;G11B7/005
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王永剛

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及一種信息記錄介質(zhì)和光記錄再生裝置，尤其涉及利用 激光照射產(chǎn)生的熱把尺寸比光學分辨率還小的凹坑再生的超分辨技術(shù) 中的信息記錄介質(zhì)和光記錄再生裝置。

背景技術(shù)

作為信息記錄介質(zhì)，光盤已廣泛普及。通過用物鏡把激光會聚并 照射到光盤的信息記錄層上進行光盤上的信號的記錄和被記錄的信號 的再生。此時，會聚光斑的尺寸用激光的波長λ和物鏡的透鏡數(shù)值孔徑 NA表示為λ/NA，用該光斑尺寸再生長度相同的數(shù)據(jù)凹坑(pit)和間 隔(space)的重復圖案時，得到有限的再生信號振幅的數(shù)據(jù)凹坑的尺 寸為λ/4NA以上。在此，把該比λ/4NA還小的尺寸也叫作比光學分辨 率還小。在以CD、DVD、HD-DVD、藍光光盤(BD)為代表的以往 的光盤技術(shù)中，將所用的數(shù)據(jù)凹坑的最小尺寸作為光學分辨率以上的 尺寸使用。因此，從CD的0.65GB到BD的25GB的記錄容量的增加， 主要是通過使激光的波長λ從780nm縮短到405nm，物鏡的透鏡數(shù)值 孔徑NA從0.5增大到0.85，減小會聚光斑的尺寸來實現(xiàn)的。

作為使用了尺寸比光學分辨率還小的數(shù)據(jù)凹坑的光盤，有非專利 文獻4記載的光盤。在該光盤中，只有最短凹坑的尺寸比光學分辨率 還小，除此以外的都是光學分辨率以上的尺寸。由于該光盤的再生與 以往的光盤技術(shù)的再生同樣地進行，所以來自最短凹坑的信號振幅基 本上為0。但是，由于最短凹坑以外的凹坑是光學分辨率以上，從它 得到的再生信號的振幅是有限的，所以通過把這些信號作為基準進行 信號處理，最短凹坑的信號也能解碼。由此，在該光盤中實現(xiàn)42GB 的面密度。

為了進一步大容量化，考慮了縮短光源波長λ、增大透鏡數(shù)值孔 徑NA的方法。但是，可以預想，在光源波長比405nm短時，由于該 波長為紫外光，光盤襯底和保護層吸收光，難以確保良好的記錄再生 品質(zhì)。另外，如果增大透鏡數(shù)值孔徑，則從物鏡射出的光成為近場光， 所以記錄再生時物鏡與介質(zhì)間的距離必須非常近。可以預想，在該構(gòu) 成中因光盤的畸曲和污染的影響而容易產(chǎn)生記錄再生錯誤，難以實現(xiàn) 作為光盤的特征的介質(zhì)可更換。

作為用與這些不同的方法實現(xiàn)高密度化的方法之一，提出了超分 辨技術(shù)。在超分辨技術(shù)中，通過在光盤的介質(zhì)中設置某種機構(gòu)，可以 把尺寸比光學分辨率還小的凹坑再生(超分辨再生)。

例如，在非專利文獻1中報告了使用相變材料的超分辨技術(shù)。通 常，相變材料作為CD-RW、DVD-RAM、DVD±RW、BD等的記錄型 光盤的記錄膜使用，是利用照射的激光的熱使狀態(tài)和光學特性以晶態(tài)/ 熔化/非晶態(tài)變化的材料。在非專利文獻1公開的方法中，使用在再生 專用(ROM)型襯底上形成相變材料的膜(相變膜)的光盤。再生時， 利用照射的激光的熱使光斑內(nèi)的一部分相變膜熔化，使光學特性例如 折射率、反射率等變化。如果在記錄介質(zhì)上的光斑照射區(qū)域內(nèi)包含這 樣的光學特性變化了的區(qū)域，則與不含該光學特性變化了的區(qū)域時相 比，來自上述光斑的反射光的狀態(tài)變化。由于與不含該光學特性變化 了的區(qū)域時相比，光斑照射區(qū)域內(nèi)包含光學特性變化了的區(qū)域時的反 射光的狀態(tài)變化成把ROM襯底的信號放大反映，所以可以把尺寸比 光學分辨率還小的凹坑再生。這樣地，超分辨技術(shù)就是利用再生時的 激光照射的熱進行微小凹坑的再生的技術(shù)。在此，把為了實現(xiàn)超分辨 而使用的、光學特性隨溫度變化的物質(zhì)稱為超分辨物質(zhì)。

在非專利文獻2和非專利文獻3中報告了使用相變材料作為超分 辨物質(zhì)的超分辨技術(shù)。在該超分辨技術(shù)中使用只有凹坑(或稱為“標 記”)部分由相變材料構(gòu)成的光盤。在非專利文獻2中，通過對相變 膜進行晶態(tài)/非晶態(tài)的選擇性蝕刻，只殘留非晶態(tài)的標記，在間隔部分 上形成保護膜，由此制造光盤。而在非專利文獻3中，對在ROM型 襯底上形成的相變膜進行化學研磨，只向凹形狀的凹坑部分埋入相變 材料，由此制造光盤。再生時，光斑內(nèi)的高溫區(qū)域的凹坑的相變膜因 照射激光而熔化，光學特性變化，所以實現(xiàn)超分辨再生。在該方法中， 由于只在凹坑部分上存在相變材料，所以與在整個表面上都是相變膜 時相比，能夠把熔化區(qū)域限制得小。由此，存在用該方法能夠再生非 常小的凹坑的可能性。