[發明專利]半導體結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200910170569.1
• 申請日: 2009-09-10
• 公開（公告）號: CN102024775A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 黃成棠
• 申請（專利權）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/544;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 任永武

1.一種半導體結構，包含：

一基底；

至少一襯墊，設置于該基底上；

一保護層，設置于基底上且部分覆蓋至少一襯墊以定義至少一開口，至少一開口具有一開口寬度；

至少一彈性凸塊，設置于至少一開口所暴露出的至少一襯墊上，且至少一彈性凸塊的一底部寬度小于開口寬度；

至少一導電層，覆蓋于保護層、至少一襯墊及至少一彈性凸塊上，并與至少一襯墊部分接觸，至少一導電層是朝遠離至少一襯墊的方向延伸，而于保護層上形成一測試區，測試區不對應至至少一襯墊；以及

至少一探針標記，形成于至少一導電層的測試區上。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，包含多個襯墊及一彈性凸塊，保護層設置于基底上且部分覆蓋這些襯墊以定義多個開口，這些開口均具有一開口寬度，彈性凸塊是延伸設置于保護層及這些開口所暴露出的這些襯墊上，且彈性凸塊的一底部寬度小于開口寬度。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，包含多個導電層，這些導電層覆蓋于保護層、這些襯墊及彈性凸塊上，并與這些襯墊部分接觸，這些導電層是朝遠離這些襯墊的方向延伸，而于保護層上形成多個測試區。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，包含多個襯墊及多個彈性凸塊，保護層設置于基底上且部分覆蓋這些襯墊以定義多個開口，這些開口均具有一開口寬度，這些彈性凸塊是分別設置于這些開口所暴露出的這些襯墊上，且各該彈性凸塊的一底部寬度小于開口寬度。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，其中至少一彈性凸塊的材料是選自下列群組：環氧樹脂及聚酰亞胺。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，其中至少一導電層是包括至少一阻障層及至少一晶種層。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，其中至少一導電層進一步包括一電鍍層。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，其中基底是一芯片。

9.一種制造一半導體結構的方法，包含下列步驟：

(a)提供一基底，基底上覆蓋有至少一襯墊與一保護層，保護層部分覆蓋至少一襯墊以定義至少一開口，至少一開口具有一開口寬度；

(b)形成至少一彈性凸塊于至少一開口所暴露出的至少一襯墊上，且至少一彈性凸塊的一底部寬度小于開口寬度；

(c)形成一導電層于保護層、至少一襯墊及至少一彈性凸塊上，使導電層與至少一襯墊部分接觸，導電層是朝遠離至少一襯墊的方向延伸而于保護層上形成一測試區，測試區不對應至至少一襯墊；

(d)形成一探針標記于導電層的測試區上。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，其中步驟(b)包含：

涂布一彈性凸塊材料于至少一襯墊與保護層上；以及曝光、顯影、蝕刻并固化彈性凸塊材料以形成至少一彈性凸塊。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，其中彈性凸塊材料是旋轉涂布于至少一襯墊與保護層上。

12.如權利要求9所述的方法，其特征在于，其中步驟(c)包含：

濺鍍一阻障層于保護層、至少一襯墊及至少一彈性凸塊上；

濺鍍一晶種層于阻障層上；涂布一光阻層于晶種層上；

曝光顯影光阻層；

蝕刻阻障層及晶種層；以及

去除光阻層以形成導電層。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，其中曝光顯影光阻層后進一步包含電鍍一電鍍層于晶種層上。

14.如權利要求9所述的方法，其特征在于，其中步驟(d)包含：

以一探針直接碰觸導電層的測試區以進行檢測并形成一探針標記。

15.如權利要求9所述的方法，其特征在于，其中至少一彈性凸塊的材料是選自下列群組：環氧樹脂及聚酰亞胺。