[發(fā)明專利]固態(tài)成像器件和制造固態(tài)成像器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910170542.2
• 申請日: 2009-09-10
• 公開（公告）號: CN101673749A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 押山到;宮波勇樹;檜山晉;田中和樹
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/82;H01L21/316
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 柳春雷;南 霆

1.一種固態(tài)成像器件，包括：

包含雜質(zhì)擴(kuò)散層的傳感器，其設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的表面層中；以及

含碳的氧化物絕緣膜，所述氧化物絕緣膜設(shè)置在所述傳感器上，并且 覆蓋并接觸所述半導(dǎo)體襯底

其中，所述氧化物絕緣膜被設(shè)置作為具有固定負(fù)電荷的負(fù)電荷累積 層，并且

所述負(fù)電荷累積層具有的碳濃度在6×10¹⁹原子/cm³到5×10²¹原子 /cm³的范圍內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像器件，其中由所述負(fù)電荷累積層中 累積的負(fù)電荷的作用所形成的空穴累積層被設(shè)置在所述傳感器的表面層 中。

3.如權(quán)利要求1或2所述的固態(tài)成像器件，其中所述氧化物絕緣膜 使用金屬氧化物構(gòu)成。

4.如權(quán)利要求3所述的固態(tài)成像器件，其中所述金屬氧化物是氧化 鉿、氧化鋯、氧化鋁、氧化鈦、或氧化鉭。

5.如權(quán)利要求1或2所述的固態(tài)成像器件，其中所述氧化物絕緣膜 使用硅基材料構(gòu)成。

6.如權(quán)利要求5所述的固態(tài)成像器件，其中使用硅基材料構(gòu)成的所 述氧化物絕緣膜包含硼和磷中的至少一種。

7.如權(quán)利要求1或2所述的固態(tài)成像器件，其中所述傳感器是二極 管，所述二極管包含P型擴(kuò)散層和布置在所述P型擴(kuò)散層上的N型擴(kuò)散 層。

8.如權(quán)利要求7所述的固態(tài)成像器件，還包括：

由另一N型擴(kuò)散層構(gòu)成的浮動擴(kuò)散部分，其中，在柵電極設(shè)置在所述 半導(dǎo)體襯底上并且處于所述二極管和所述浮動擴(kuò)散部分之間的情況下，所 述浮動擴(kuò)散部分被布置在所述二極管的一側(cè)。

9.一種制造固態(tài)成像器件的方法，包括如下步驟：

在半導(dǎo)體襯底的表面層中形成包含雜質(zhì)擴(kuò)散層的傳感器；以及

在所述傳感器上沉積含碳的氧化物絕緣膜，同時通過控制含碳的材料 氣體的流率比和沉積溫度來將碳濃度控制在6×10¹⁹原子/cm³到5×10²¹原 子/cm³的范圍內(nèi)。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中在沉積所述氧化物絕緣膜的步驟 中，通過原子層沉積法和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法中的一種形成包括金屬 氧化物的氧化物絕緣膜。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中在沉積所述氧化物絕緣膜的步驟 中，通過利用四乙氧基硅烷氣體的化學(xué)氣相沉積法形成由硅氧化物基材料 構(gòu)成的氧化物絕緣膜。