[發明專利]被處理體的蝕刻方法

有效

• 申請號: 200910170537.1
• 申請日: 2002-06-10
• 公開（公告）號: CN101667536A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 布瀨曉志;藤本究;山口智代
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/311
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳;劉春成

1.一種被處理體的蝕刻方法，包括：

將包含SiC部分的被處理體收容到處理容器中的步驟；

向處理容器中提供蝕刻氣體，同時將蝕刻氣體等離子體化，通過 該等離子體化的蝕刻氣體來蝕刻被處理體的SiC部分的步驟，

其特征在于：

提供給處理容器中的蝕刻氣體包含CH₃F、O₂和N₂。

2.根據權利要求1所述的被處理體的蝕刻方法，其特征在于， 蝕刻氣體中(CH₃F+O₂)的流量/N₂的流量的比例是2～12。

3.根據權利要求1或2所述的被處理體的蝕刻方法，其特征在于， 被處理體具有在SiC部分上設置的作為絕緣膜的SiO₂膜， 將該SiO₂膜作為掩膜來蝕刻被處理體的SiC部分。

4.根據權利要求1所述的被處理體的蝕刻方法，其特征在于， 蝕刻氣體還包括CF₄。

5.根據權利要求1所述的被處理體的蝕刻方法，其特征在于， 蝕刻氣體還包括Ar。

6.一種被處理體的蝕刻方法，包括：

將包含SiC部分的被處理體收容到處理容器中的步驟；

向處理容器中提供蝕刻氣體，同時將蝕刻氣體等離子體化，通過 該等離子體化的蝕刻氣體來蝕刻被處理體的SiC部分的步驟，

其特征在于：

提供給處理容器中的蝕刻氣體包含CH₂F₂，

被處理體具有在SiC部分上設置的作為絕緣膜的SiO₂膜，

將該SiO₂膜作為掩膜來蝕刻被處理體的SiC部分。

7.根據權利要求6所述的被處理體的蝕刻方法，其特征在于， 蝕刻氣體還包括O₂。

8.根據權利要求6或7所述的被處理體的蝕刻方法，其特征在于， 蝕刻氣體還包括Ar。