[發明專利]整修加工反應室組件的方法

無效

• 申請號: 200910170463.1
• 申請日: 2009-08-26
• 公開（公告）號: CN101664746A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 邱健賓;鄭文正;吳文生
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B08B9/08
• 分類號: B08B9/08;B08B7/00;C23C16/44;C23C16/34
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 姜 燕;陳 晨

1.一種整修加工反應室組件的方法，包含下列步驟：

將在一外表面具有工藝沉積物的一反應室組件，置于一等離子體氣相沉積反應室中；以及

在足以移除該工藝沉積物的一期間內，以一等離子體轟擊該反應室組件。

2.如權利要求1所述的整修加工反應室組件的方法，還包含：

在轟擊該反應室組件之后，使一氮氣流入該等離子體氣相沉積反應室中，借此沉積一薄膜于該反應室組件的表面上，該薄膜具有TaN。

3.如權利要求1所述的整修加工反應室組件的方法，其中該等離子體包含惰性氣體離子。

4.如權利要求1所述的整修加工反應室組件的方法，其中該等離子體包含實質上100％的氬。

5.如權利要求1所述的整修加工反應室組件的方法，其中足以移除該工藝沉積物的該期間為約4小時。

6.如權利要求1所述的整修加工反應室組件的方法，其中足以移除該工藝沉積物的該期間是與該工藝沉積物的厚度成正比。

7.如權利要求2所述的整修加工反應室組件的方法，其中使該氮氣流入該等離子體氣相沉積反應室中的時間為10～20分鐘。

8.如權利要求4所述的整修加工反應室組件的方法，其中流入該等離子體氣相沉積反應室的氬的流速為約24sccm。

9.如權利要求8所述的整修加工反應室組件的方法，其中以氬等離子體轟擊的步驟是在該等離子體氣相沉積反應室內以約25℃下的溫度進行，且該等離子體氣相沉積反應室的反應室壓力為2.6×10^-3Torr。

10.如權利要求9所述的整修加工反應室組件的方法，其中進行該等離子體轟擊的步驟所使用的射頻功率為約2500瓦特。

11.如權利要求2所述的整修加工反應室組件的方法，其中該氮氣流入該等離子體氣相沉積反應室中的流速為4sccm。

12.如權利要求11所述的整修加工反應室組件的方法，其中在該等離子體氣相沉積反應室將具有TaN的該薄膜沉積于該反應室組件的步驟時，該等離子體氣相沉積反應室的反應室壓力為2.6×10^-3Torr。

13.如權利要求1所述的整修加工反應室組件的方法，其中是使用順流式等離子體來轟擊該反應室組件。