[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200910170432.6
• 申請日: 2006-09-29
• 公開（公告）號: CN101651105A
• 公開（公告）日: 2010-02-17
• 發明（設計）人: 秋元健吾;本田達也;曾根寬人
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786;H01L29/04
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王丹昕

1.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

在襯底上形成柵極；

在所述柵極上形成第一絕緣膜；

在所述柵極上形成氧化物半導體膜，所述第一絕緣膜置于所述柵 極和所述氧化物半導體膜之間，所述氧化物半導體膜包括溝道形成區 域；

在所述柵極上形成包括氧化硅的保護膜，所述氧化物半導體膜置 于所述柵極和所述保護膜之間；

通過在所述氧化物半導體膜和所述保護膜上濺射形成第二絕緣 膜，所述第二絕緣膜包括硅和氮。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述氧化物半導體膜包括 基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述氧化物半導體膜包括 氧化鋅。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一絕緣膜和所述氧 化物半導體膜中的每一個是通過濺射形成的。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二絕緣膜還包括氧。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述保護膜有選擇地形成 在所述溝道形成區域上。

7.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

在襯底上形成柵極；

在所述柵極上形成第一絕緣膜；

在所述柵極上形成氧化物半導體膜，所述第一絕緣膜置于所述柵 極和所述氧化物半導體膜之間，所述氧化物半導體膜包括溝道形成區 域；

在所述柵極上形成保護膜，所述氧化物半導體膜置于所述柵極和 所述保護膜之間；

通過在所述氧化物半導體膜和所述保護膜上濺射形成第二絕緣 膜，所述第二絕緣膜包括選自由氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氮氧化 硅構成的組的材料。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述氧化物半導體膜包括 基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物材料。

9.根據權利要求7所述的方法，其中所述氧化物半導體膜包括 氧化鋅。

10.根據權利要求7所述的方法，其中所述第一絕緣膜和所述氧 化物半導體膜中的每一個是通過濺射形成的。

11.根據權利要求7所述的方法，其中所述保護膜包括選自由氧 化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧氮化硅構成的組的材料。

12.根據權利要求7所述的方法，其中所述保護膜有選擇地形成 在所述溝道形成區域上。

13.根據權利要求7所述的方法，還包括以下步驟：

形成與所述氧化物半導體膜接觸的源極和漏極；

其中在所述源極和所述漏極上提供第二絕緣膜。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述氧化物半導體膜包 括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物材料。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述氧化物半導體膜包 括氧化鋅。

16.根據權利要求13所述的方法，其中所述第一絕緣膜和所述 氧化物半導體膜中的每一個是通過濺射形成的。

17.根據權利要求13所述的方法，其中所述保護膜包括選自由 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧氮化硅構成的組的材料。

18.根據權利要求13所述的方法，其中所述源極和所述漏極中 的每一個包括包含鈦的第一膜以及與所述第一膜接觸的、包含鋁的第 二膜。

19.根據權利要求13所述的方法，其中所述源極和所述漏極包 括透明導電氧化物材料。

20.根據權利要求13所述的方法，其中所述源極和所述漏極中 的每一個包括與所述氧化物半導體膜的上表面接觸的、包含鈦的第一 膜，以及所述第一膜上的包含鋁的第二膜。

21.根據權利要求13所述的方法，其中所述保護膜有選擇地形 成在所述溝道形成區域上。