[發明專利]發光二極管裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200910169996.8
• 申請日: 2009-09-14
• 公開（公告）號: CN102024882A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 陳濱全;張超雄;林昇柏;曾文良
• 申請（專利權）人: 展晶科技(深圳)有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管裝置，其特征在于，包含：

一引線框架；

一發光二極管芯片，設置于該引線框架上；

一熒光層，成形于該發光二極管芯片上；

一反射件，成形于該引線框架上，并圍繞該發光二極管芯片，該反射件用于將該發光二極管芯片的光束集中于特定方向上；以及

一透鏡，成形于該反射件內，并覆蓋該熒光層。

2.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于，該熒光層、該反射件與該透鏡是利用射出成形技術或傳遞成型技術所成形。

3.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于，該引線框架包含兩電極，其中該發光二極管芯片以打線的方法電連接至該兩電極，或該發光二極管芯片以覆晶封裝的方法電連接于該兩電極。

4.根據權利要求3所述的發光二極管裝置，其特征在于，該兩電極包含覆金的銅或覆銀的銅，而該引線框架包含銅。

5.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于，該熒光層的材料包含熒光粉及高分子材料，其中該高分子材料是環氧樹脂、硅樹脂或前述樹脂的復合樹脂；該反射件的材料包含硅樹脂及白色顆粒，其中該白色顆粒是二氧化硅；而該透鏡的材料包含透明硅樹脂。

6.一種發光二極管裝置的制造方法，其特征在于包含下列步驟：

提供一引線框架；

將一發光二極管芯片設置于該引線框架上；

成形一熒光層于該發光二極管芯片上；

成形一反射件于該引線框架上，并圍繞該發光二極管芯片，其中該反射件是用于將該發光二極管芯片的光束集中于一方向上；

成形一透鏡于該反射件內，并覆蓋該熒光層。

7.根據權利要求6所述的發光二極管裝置的制造方法，其特征在于，該熒光層、該反射件與該透鏡是利用射出成形技術或傳遞成型技術成形。

8.根據權利要求6所述的發光二極管裝置的制造方法，其特征在于，該引線框架包含兩電極，其中該發光二極管芯片以打線的方法電連接至該兩電極，或該發光二極管芯片以覆晶封裝的方法電連接于該兩電極。

9.根據權利要求8所述的發光二極管裝置的制造方法，其特征在于，該兩電極包含覆金的銅或覆銀的銅，而該引線框架包含銅。

10.根據權利要求6所述的發光二極管裝置的制造方法，其特征在于，該熒光層的材料包含熒光粉及高分子材料，其中該高分子材料是環氧樹脂、硅樹脂或前述樹脂的復合樹脂；該反射件的材料包含硅樹脂及白色顆粒，其中該白色顆粒是二氧化硅；而該透鏡的材料包含透明硅樹脂。