[發(fā)明專利]固體攝像器件和固體攝像器件的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910169271.9
• 申請(qǐng)日: 2009-08-25
• 公開（公告）號(hào): CN101661946A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 池田晴美;中澤正志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L31/101;H01L31/18
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種固體攝像器件，所述固體攝像器件包括：

半導(dǎo)體層；

電荷累積區(qū)域，其被形成在所述半導(dǎo)體層內(nèi)部并用作光電二極管的 一部分；以及

反射面，其被布置在所述電荷累積區(qū)域內(nèi)部、與所述電荷累積區(qū)域 的下端接觸或者在所述電荷累積區(qū)域下方且與所述電荷累積區(qū)域之間形 成有絕緣膜，并且被形成為用于反射已經(jīng)透過(guò)所述電荷累積區(qū)域的光， 使該光射向所述電荷累積區(qū)域的中央部，防止該光射出到所述光電二極 管的外部。

2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述反射面由反射膜 形成。

3.權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述反射面的電荷累積 區(qū)域側(cè)為凹面。

4.權(quán)利要求2所述的固體攝像器件，其中，所述反射膜具有側(cè)壁部， 所述側(cè)壁部反射傾斜入射到所述半導(dǎo)體層上的光，使該光射向所述電荷 累積區(qū)域的中央部。

5.權(quán)利要求3所述的固體攝像器件，其中，所述反射面由反射膜形 成。

6.權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述半導(dǎo)體層是硅層。

7.一種固體攝像器件的制造方法，所述方法包括如下步驟：

在硅層中形成凹部；

在所述硅層的表面上形成反射膜；

對(duì)所述反射膜進(jìn)行蝕刻，在所述硅層的凹部上方處將所述反射膜斷 開并使所述硅層露出；

從所述硅層的露出表面進(jìn)行硅的外延生長(zhǎng)，形成覆蓋所述反射膜的 硅外延層；

將所述硅層上下翻轉(zhuǎn)，將所述硅層粘合在單獨(dú)準(zhǔn)備的基體上；以及

在所述反射膜上方的所述硅層中形成用作光電二極管的一部分的電 荷累積區(qū)域。

8.一種固體攝像器件的制造方法，所述方法包括如下步驟：

在硅層中形成孔，所述孔基本上垂直于所述硅層的表面并且具有作 為底面的凹面；

利用各向異性膜沉積方法在所述硅層的表面和所述凹面的表面上形 成反射膜；

在所述硅層上形成填充所述孔的第二硅層；

除掉除了所述孔中的所述反射膜和所述第二硅層以外的所述反射膜 和所述第二硅層；

對(duì)所述硅層的上部和所述孔中的所述第二硅層進(jìn)行硅的離子注入， 形成非晶硅層；

使所述非晶硅層結(jié)晶化；以及

在所述反射膜上方形成用作光電二極管的一部分的電荷累積區(qū)域。

9.一種固體攝像器件的制造方法，所述方法包括如下步驟：

在硅層中形成溝槽；

在所述硅層上形成填充所述溝槽的反射膜；

對(duì)所述反射膜進(jìn)行蝕刻，在所述溝槽之間的部分處將所述反射膜斷 開；

將所述硅層上下翻轉(zhuǎn)，并將所述硅層粘合在單獨(dú)準(zhǔn)備的基體上；以 及

在所述反射膜上方的所述硅層中形成用作光電二極管的一部分的電 荷累積區(qū)域。