[發明專利]半導體元件的制法

有效

• 申請號: 200910169143.4
• 申請日: 2009-09-11
• 公開（公告）號: CN101789367A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 張慶裕
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;G03F7/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種半導體元件的制法，包括以下步驟：

形成一材料層于一基材之上；

形成一犧牲層于該材料層之上，其中該材料層與該犧牲層各自具有小于 100埃的厚度；

形成一圖案化光致抗蝕劑層于該犧牲層之上；

利用該圖案化光致抗蝕劑層作為一掩模，施加一第一濕式蝕刻工藝以蝕 刻該犧牲層，借以形成一圖案化犧牲層；

施加一第二濕式蝕刻工藝以蝕刻該材料層；以及

施加一第三濕式蝕刻工藝以移除該圖案化犧牲層，

其中，該第一濕式蝕刻工藝與該第二濕式蝕刻工藝各自包括含有一光致 抗蝕劑顯影劑的蝕刻劑。

2.如權利要求1所述的半導體元件的制法，于施加該第一濕式蝕刻工藝 之后與施加該該第二濕式蝕刻工藝、第三濕式蝕刻工藝之前，尚包括施加一 濕式化學蝕刻以移除該圖案化光致抗蝕劑層。

3.如權利要求1所述的半導體元件的制法，其中該材料層包括氮化鈦。

4.如權利要求1所述的半導體元件的制法，其中該犧牲層包括氧化鑭。

5.如權利要求4所述的半導體元件的制法，其中該第一與第三濕式蝕刻 工藝各自包括含有鹽酸的蝕刻劑。

6.如權利要求4所述的半導體元件的制法，其中該第一與第三濕式蝕刻 工藝各自包括施加二氧化碳水。

7.如權利要求1所述的半導體元件的制法，其中該犧牲層包括氧化鋁。

8.如權利要求7所述的半導體元件的制法，其中該第一與第三濕式蝕刻 工藝各自包括施加氫氧化四甲基銨溶液。

9.如權利要求1所述的半導體元件的制法，其中該第一濕式蝕刻工藝包 括施加一弱酸溶液，其中該弱酸溶液包括二氧化碳水、醋酸溶液、檸檬酸溶 液、硼酸或磷酸，其中，所述犧牲層包括氧化鑭。

10.如權利要求1所述的半導體元件的制法，其中該第二濕式蝕刻工藝 包括施加氫氧化銨-過氧化氫-水的混合物，其中，所述材料層包括氮化鈦。

11.如權利要求1所述的半導體元件的制法，于形成該圖案化光致抗蝕 劑層之前，尚包括對該犧牲層施加六甲基二硅氮烷。

12.如權利要求1所述的半導體元件的制法，于施加該第一濕式蝕刻工 藝之前，尚包括對該圖案化光致抗蝕劑層施加一清潔材料。

13.一種半導體元件的制法，包括以下步驟：

形成一鉭化鈦層于一基材上；

形成一氧化鑭層于該鉭化鈦層上；

形成一圖案化光致抗蝕劑層于該氧化鑭層上；

利用該圖案化光致抗蝕劑層作為一掩模，對該基材施加一第一濕式蝕刻 工藝以蝕刻該氧化鑭層，借以形成一圖案化氧化鑭層；

對該基材施加一氫氧化銨-過氧化氫-水的混合物以蝕刻該鉭化鈦層；以 及

施加一第二濕式蝕刻工藝于該基材以移除該氧化鑭層，

其中，該第一濕式蝕刻工藝與該第二濕式蝕刻工藝各自包括含有一光致 抗蝕劑顯影劑的蝕刻劑。

14.如權利要求13所述的半導體元件的制法，其中該第一與第二濕式蝕 刻工藝各自包括含有鹽酸及水的蝕刻劑。