[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件的制法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910169143.4
• 申請(qǐng)日: 2009-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN101789367A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張慶裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;G03F7/00
• 代理公司: 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種半導(dǎo)體元件的制法，包括以下步驟：

形成一材料層于一基材之上；

形成一犧牲層于該材料層之上，其中該材料層與該犧牲層各自具有小于 100埃的厚度；

形成一圖案化光致抗蝕劑層于該犧牲層之上；

利用該圖案化光致抗蝕劑層作為一掩模，施加一第一濕式蝕刻工藝以蝕 刻該犧牲層，借以形成一圖案化犧牲層；

施加一第二濕式蝕刻工藝以蝕刻該材料層；以及

施加一第三濕式蝕刻工藝以移除該圖案化犧牲層，

其中，該第一濕式蝕刻工藝與該第二濕式蝕刻工藝各自包括含有一光致 抗蝕劑顯影劑的蝕刻劑。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制法，于施加該第一濕式蝕刻工藝 之后與施加該該第二濕式蝕刻工藝、第三濕式蝕刻工藝之前，尚包括施加一 濕式化學(xué)蝕刻以移除該圖案化光致抗蝕劑層。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制法，其中該材料層包括氮化鈦。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制法，其中該犧牲層包括氧化鑭。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件的制法，其中該第一與第三濕式蝕刻 工藝各自包括含有鹽酸的蝕刻劑。

6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件的制法，其中該第一與第三濕式蝕刻 工藝各自包括施加二氧化碳水。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制法，其中該犧牲層包括氧化鋁。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制法，其中該第一與第三濕式蝕刻 工藝各自包括施加氫氧化四甲基銨溶液。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制法，其中該第一濕式蝕刻工藝包 括施加一弱酸溶液，其中該弱酸溶液包括二氧化碳水、醋酸溶液、檸檬酸溶 液、硼酸或磷酸，其中，所述犧牲層包括氧化鑭。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制法，其中該第二濕式蝕刻工藝 包括施加氫氧化銨-過氧化氫-水的混合物，其中，所述材料層包括氮化鈦。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制法，于形成該圖案化光致抗蝕 劑層之前，尚包括對(duì)該犧牲層施加六甲基二硅氮烷。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制法，于施加該第一濕式蝕刻工 藝之前，尚包括對(duì)該圖案化光致抗蝕劑層施加一清潔材料。

13.一種半導(dǎo)體元件的制法，包括以下步驟：

形成一鉭化鈦層于一基材上；

形成一氧化鑭層于該鉭化鈦層上；

形成一圖案化光致抗蝕劑層于該氧化鑭層上；

利用該圖案化光致抗蝕劑層作為一掩模，對(duì)該基材施加一第一濕式蝕刻 工藝以蝕刻該氧化鑭層，借以形成一圖案化氧化鑭層；

對(duì)該基材施加一氫氧化銨-過氧化氫-水的混合物以蝕刻該鉭化鈦層；以 及

施加一第二濕式蝕刻工藝于該基材以移除該氧化鑭層，

其中，該第一濕式蝕刻工藝與該第二濕式蝕刻工藝各自包括含有一光致 抗蝕劑顯影劑的蝕刻劑。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件的制法，其中該第一與第二濕式蝕 刻工藝各自包括含有鹽酸及水的蝕刻劑。