[發明專利]納米結構和納米線的制造方法及由其制造的器件有效
| 申請號： | 200910168694.9 | 申請日： | 2002-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN101638216A | 公開（公告）日： | 2010-02-03 |
| 發明（設計）人： | A·馬亞姆達;A·沙科里;T·D·桑德斯;P·楊;S·S·毛;R·E·拉索;H·費克;H·金德;E·R·韋伯;M·黃;H·嚴;Y·吳;R·范 | 申請（專利權）人： | 加利福尼亞大學董事會 |
| 主分類號： | B82B1/00 | 分類號： | B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 丁 藝;沙 捷 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 結構 制造 方法 器件 | ||
1.一種納米線，包括：
第一材料的芯，至少部分地被成分不同的材料的套管包圍；
其中所述納米線被配置成是從具有單分散分布直徑的納米線的群 體選擇的；
其中所述納米線的群體在相同工藝中合成；并且
其中在相同工藝中合成的納米線的群體的直徑變化使得直徑分布 少于50％。
2.如權利要求1所述的納米線，其中所述芯和所述套管中的每個 包括半導體材料。
3.如權利要求1所述的納米線，其中所述芯和所述套管中的至少 一個包括摻雜半導體材料。
4.如權利要求1所述的納米線，其中所述芯和所述套管中的至少 一個包括晶體的材料。
5.根據權利要求1所述的納米線，其中所述納米線具有小于200nm 的直徑。
6.如權利要求5所述的納米線，其中所述納米線的直徑相對于所 述納米線的長度的變化不超過10％。
7.如權利要求5所述的納米線，其中所述納米線具有范圍從5nm 到50nm的直徑。
8.如權利要求1所述的納米線，還包括連接到所述芯和所述套管中 的至少一個的電極。
9.如權利要求1所述的納米線，其中所述納米線從一個原子層到 20nm范圍內的距離上從所述芯向所述套管過渡。
10.如權利要求1所述的納米線，其中所述芯和所述套管中的至少 一個包括單晶的材料。
11.如權利要求1所述的納米線，其中所述套管包括晶體的材料。
12.如權利要求11所述的納米線，其中所述晶體的材料是單晶的。
13.如權利要求1所述的納米線，其中群體內的直徑分布小于20％。
14.如權利要求1所述的納米線，其中群體內的直徑分布小于10％。
15.如權利要求1所述的納米線，包括包圍所述芯的兩個或多個套 管層。
16.一種納米線，包括：
芯，包括第一材料，至少部分地被成分不同的材料的套管包圍；
其中所述納米線被配置成是從具有單分散分布直徑的納米線的群 體選擇的；
其中所述納米線的群體在相同工藝中合成；并且
其中在相同工藝中合成的納米線的群體的直徑變化使得直徑分布 少于50％；
其中所述芯包括至少第一和第二段；并且
其中所述芯的第一和第二段具有成分不同的材料。
17.一種納米線，包括：
第一材料的芯，至少部分地被成分不同的材料的套管包圍；
其中所述納米線被配置成是從具有單分散分布直徑的納米線的群 體選擇的；
其中所述納米線的群體在相同工藝中合成；并且
其中在相同工藝中合成的納米線的群體的直徑變化使得直徑分布 少于50％；
其中所述套管包括至少第一和第二段；并且
其中所述套管的第一和第二段具有成分不同的材料。
18.一種納米線，包括：
第一材料的芯，至少部分地被成分不同的材料的套管包圍；
其中所述納米線被配置成是從具有單分散分布直徑的納米線的群 體選擇的；
其中所述納米線的群體在相同工藝中合成；并且
其中在相同工藝中合成的納米線的群體的直徑變化使得直徑分布 少于50％；并且
其中所述芯包括僅部分被所述套管包圍的單段芯。
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