[發明專利]發光裝置以及發光裝置的制造方法

無效

• 申請號: 200910168654.4
• 申請日: 2009-09-02
• 公開（公告）號: CN101667627A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 下田悟;白崎友之;木津貴志
• 申請（專利權）人: 卡西歐計算機株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;G09F9/30
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 許玉順;胡建新

技術領域

本發明涉及發光裝置以及發光裝置的制造方法。

背景技術

近年來，已公知作為便攜式電話機等的電子設備的顯示部件，使用了將作為自發光元件的多個EL(Electro?Luminescence)發光元件排列為矩陣狀的EL發光面板的技術。

EL發光元件是例如在聚酰亞胺所構成的絕緣層上的開口部露出的第一電極上進行發光層成膜，在該發光層上層積第二電極而成的(例如，參照專利文獻1)，其面板中各開口部分別成為相當于像素的發光部分，由多個EL發光元件構成發光區域。

專利文獻1：日本特開2002-91343號公報

然而，在上述以往技術的EL發光面板中，會出現在構成該EL發光面板的發光區域的多個EL發光元件中存在有部分EL發光元件不發光的區域的情況。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種發光特性優良的發光裝置以及發光裝置的制造方法。

為了得到上述優點，本發明的一個方式是一種發光裝置，具有第一電極、在上述第一電極上的至少一層以上的載流子傳輸層以及在上述載流子傳輸層上的第二電極，其特征在于，該發光裝置還具有：隔壁，具有與形成在基板的上面側的上述第一電極連通的開口部；以及至少覆蓋上述隔壁的發光保護層，上述發光保護層存在于上述隔壁和上述載流子傳輸層之間。

優選中和由上述隔壁所引起的發光阻礙要因或者使該發光阻礙要因變為酸性，從而改善由該發光阻礙要因所引起的載流子傳輸層的傳輸性劣化。

此外，優選上述發光保護層由酸性材料形成。

此外，優選上述隔壁是使陽性的感光性聚酰亞胺類樹脂材料固化而成。

此外，優選通過堿性溶液來對上述隔壁進行顯影。

本發明的其他的方式是一種發光裝置的制造方法，所述發光裝置具有第一電極、在上述第一電極上的至少一層以上的載流子傳輸層以及在上述載流子傳輸層上的第二電極，該發光裝置的制造方法包括以下工序：隔壁形成工序，形成隔壁，該隔壁具有與形成在基板的上面側的上述第一電極連通的開口部；發光保護層形成工序，形成發光保護層，該發光保護層至少覆蓋上述隔壁，并封住由上述隔壁引起的發光阻礙要因；以及載流子傳輸層形成工序，形成上述載流子傳輸層，上述載流子傳輸層覆蓋上述第一電極以及上述發光保護層。

優選上述發光保護層形成工序包括在對成為上述發光保護層的材料進行成膜時，中和由該隔壁引起的發光阻礙要因或者使該發光阻礙要因變為酸性的工序。

此外，優選上述隔壁形成工序包括用堿性溶液對成為上述隔壁的材料進行顯影的工序，上述發光保護層形成工序包括中和在上述隔壁以及上述第一電極的表面殘留的上述堿性溶液或者使該殘留的上述堿性溶液變為酸性的工序。

本發明的其他的方式是一種發光裝置的制造方法，所述發光裝置具有第一電極、在上述第一電極上的至少一層以上的載流子傳輸層以及在上述載流子傳輸層上的第二電極，該發光裝置的制造方法包括以下工序：隔壁形成工序，形成隔壁，該隔壁具有與基板上的上述第一電極連通的開口部；表面清洗工序，對上述隔壁以及上述第一電極的表面進行清洗，從而除去在上述隔壁形成工序中產生的發光阻礙要因；以及載流子傳輸層形成工序，形成上述載流子傳輸層，上述載流子傳輸層覆蓋上述第一電極以及上述隔壁。

優選上述隔壁形成工序包括在用規定的掩模圖案對成為上述隔壁的材料進行曝光后，用堿性溶液對成為上述隔壁的材料進行顯影的工序，

上述表面清洗工序包括用酸性溶液中和在上述隔壁以及上述第一電極的表面殘留的上述堿性溶液或者使該殘留的上述堿性溶液變為酸性的工序。

優選還包括在用上述酸性溶液中和殘留的上述堿性溶液或者使該殘留的上述堿性溶液變為酸性的工序后，用水或與上述酸性溶液相比呈弱酸性的水溶液清洗上述隔壁以及上述第一電極的工序。

優選還包括在上述載流子傳輸層形成工序后，在上述開口部內的上述載流子傳輸層上形成上述第二電極的第二電極形成工序。

而且，還提供一種發光裝置，其特征在于，通過上述的發光裝置的制造方法而被制造。

附圖說明

圖1是表示EL面板的像素的配置構成的平面圖。

圖2是表示EL面板的概略構成的平面圖。

圖3是表示與EL面板的一個像素相當的電路的電路圖。

圖4是表示EL面板的一個像素的平面圖。

圖5是表示沿圖4的V-V線的面的向視斷面圖。

圖6是表示沿圖4的VI-VI線的面的向視斷面圖。

圖7是表示在基板的上面側形成的薄膜晶體管和層間絕緣膜的斷面圖。