[發明專利]薄膜場效應晶體管和使用該薄膜場效應晶體管的顯示器

有效

• 申請號: 200910168314.1
• 申請日: 2009-08-27
• 公開（公告）號: CN101673770A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 板井雄一郎
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/12;H01L21/34;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 鄔少俊;王 英

1.一種薄膜場效應晶體管，包括在其上至少有柵電極、柵極絕緣膜、 有源層、源電極和漏電極的襯底，其中所述有源層為氧化物半導體層，在 所述有源層和所述源電極或漏電極中的至少一個之間提供電導率低于所述 有源層的電導率的電阻層，并在所述有源層和所述電阻層之間提供包括氧 化物的中間層以覆蓋所述有源層的在設置所述源電極和所述漏電極一側的 整個表面，所述氧化物中的元素與氧的結合力強于所述有源層中氧化物半 導體中的元素與氧的結合力。

2.根據權利要求1所述的薄膜場效應晶體管，其中，包括與所述中間 層中所含氧的結合力強的元素的所述氧化物是包含從Ba、Ca、Ti、Fe、Ga、 Mg、Al、Ge和Si構成的組中選擇的至少一種元素的氧化物。

3.根據權利要求1所述的薄膜場效應晶體管，其中，所述電阻層為氧 化物半導體層。

4.根據權利要求1所述的薄膜場效應晶體管，其中，所述有源層的電 導率為10^-4Scm^-1或更大且小于10²Scm^-1，且所述有源層的電導率與所述電阻 層的電導率之比為10¹到10¹⁰。

5.根據權利要求1所述的薄膜場效應晶體管，其中，所述中間層還包 含氧化物半導體。

6.根據權利要求4所述的薄膜場效應晶體管，其中，所述有源層的電 導率為10^-1Scm^-1或更大且小于10²Scm^-1。

7.根據權利要求4所述的薄膜場效應晶體管，其中，所述有源層的電 導率與所述電阻層的電導率之比為10²到10¹⁰。

8.根據權利要求7所述的薄膜場效應晶體管，其中，所述有源層的電 導率與所述電阻層的電導率之比為10²到10⁸。

9.根據權利要求1所述的薄膜場效應晶體管，其中，所述有源層的氧 化物半導體為非晶氧化物。

10.根據權利要求3所述的薄膜場效應晶體管，其中，所述電阻層的 氧化物半導體為非晶氧化物。

11.根據權利要求5所述的薄膜場效應晶體管，其中，所述中間層的 氧化物半導體為非晶氧化物。

12.根據權利要求1所述的薄膜場效應晶體管，其中，所述有源層的 厚度比所述電阻層的厚度大。

13.根據權利要求1所述的薄膜場效應晶體管，其中，所述襯底為柔 性樹脂襯底。

14.一種顯示器，其使用根據權利要求1所述的薄膜場效應晶體管。