[發(fā)明專利]光學(xué)元件及具有該光學(xué)元件的背后照明單元和液晶顯示器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910166748.8 | 申請日: | 2009-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN101649998A | 公開(公告)日: | 2010-02-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 樸晸浩;都榮秀;權(quán)五玄 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社LMS |
| 主分類號: | F21V8/00 | 分類號: | F21V8/00;F21V13/00;G02F1/13357 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人: | 張靜潔;王敏杰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 元件 具有 背后 照明 單元 液晶顯示器 | ||
1.一種光學(xué)元件,包括:一個光傳輸帶基薄膜;若干個漫射腔,其形成于所 述光傳輸帶基薄膜的一個表面中,用于對進入該帶基薄膜的光進行漫射; 其特征在于:
還包括一個具有聚光突起的聚光圖案,其形成于形成有所述若干個漫 射腔的所述帶基薄膜的所述表面中,用于匯聚入射光;
每個所述漫射腔具有一個半球形曲面;
每個所述漫射腔的直徑與深度的比值為1∶0.05至1∶5;
所述若干個漫射腔的面積與所述帶基薄膜的一個表面的總面積之間 的比值為1%至78.5%。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件,其特征在于:所述各個漫射腔的直徑大于 所述各個聚光突起的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件,其特征在于:若干個漫射腔沿縱向和橫向 規(guī)則地排列。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件,其特征在于:若干個漫射腔沿縱向和橫向 不規(guī)則地排列。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件,其特征在于:所述若干個漫射腔包括若干 個漫射腔,其中每個漫射腔形成一個半球形曲面,另外還包括若干個漫射 腔,其中每個漫射腔形成一個橢圓形曲面,它們在帶基薄膜的一個表面上 相互混合。
6.一種光學(xué)元件,包括:一個光傳輸帶基薄膜;若干個漫射腔,其形成于所 述光傳輸帶基薄膜的一個表面中,用于對進入該帶基薄膜的光進行漫射; 其特征在于:
還包括一個具有聚光突起的聚光圖案,其形成于形成有所述若干個漫 射腔的所述帶基薄膜的所述表面中,用于匯聚入射光;
每個所述漫射腔具有一個橢圓形曲面;
所述各個橢圓形的漫射腔的長軸與短軸的比值為1.1∶1至50∶1;
每個所述漫射腔的直徑與深度的比值為1∶0.05至1∶5;
所述若干個漫射腔的面積與所述帶基薄膜的一個表面的總面積之間 的比值為1%至78.5%。
7.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)元件,其特征在于:所述各個漫射腔的短軸的長 度大于所述各個聚光突起的寬度。
8.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)元件,其特征在于:所述各個橢圓形的漫射腔的 長軸平行于所述聚光圖案的縱向方向。
9.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)元件,其特征在于:若干個漫射腔沿縱向和橫向 規(guī)則地排列。
10.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)元件,其特征在于:若干個漫射腔沿縱向和橫向 不規(guī)則地排列。
11.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)元件,其特征在于:所述若干個漫射腔包括若干 個漫射腔,其中每個漫射腔形成一個橢圓形曲面,另外還包括若干個漫射 腔,其中每個漫射腔形成一個半球形曲面,它們在帶基薄膜的一個表面上 相互混合。
12.一種光學(xué)元件,包括:一個光傳輸帶基薄膜;若干個漫射腔,其形成于所 述光傳輸帶基薄膜的一個表面中,用于對進入該帶基薄膜的光進行漫射; 其特征在于:
還包括一個具有聚光突起的聚光圖案,其形成于形成有所述若干個漫 射腔的所述帶基薄膜的所述表面中,用于匯聚入射光;
每個所述漫射腔具有一個非球形曲面;
每個所述漫射腔的直徑與深度的比值為1∶0.05至1∶5;
所述若干個漫射腔的面積與所述帶基薄膜的一個表面的總面積之間 的比值為1%至78.5%。
13.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件,其特征在于:若干個漫射腔沿縱向和橫 向規(guī)則地排列。
14.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件,其特征在于:若干個漫射腔沿縱向和橫 向不規(guī)則地排列。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社LMS,未經(jīng)株式會社LMS許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910166748.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





