[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910166648.5
• 申請(qǐng)日: 2009-08-24
• 公開（公告）號(hào): CN101661954A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高橋和也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會(huì)社;三洋半導(dǎo)體株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/73
• 分類號(hào): H01L29/73;H01L29/417
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 岳雪蘭

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板，其構(gòu)成集電極區(qū)域；

逆導(dǎo)電型基極區(qū)域，其設(shè)于所述基板上；

一導(dǎo)電型發(fā)射極區(qū)域，其設(shè)于所述基極區(qū)域表面；

第一絕緣膜，其設(shè)于所述基極區(qū)域及所述發(fā)射極區(qū)域上；

第一基極電極，其與多個(gè)所述基極區(qū)域接觸；

第一發(fā)射極電極，其與所述發(fā)射極區(qū)域接觸；

第二絕緣膜，其設(shè)于所述第一基極電極及所述第一發(fā)射極電極上；

平板狀的第二基極電極，其配置于所述第二絕緣膜上；以及

平板狀的第二發(fā)射極電極，其配置于所述第二絕緣膜上且與所述第二 基極電極鄰接，

所述第二發(fā)射極電極設(shè)于所述第一基極電極及所述第一發(fā)射極電極上 且與所述第一發(fā)射極電極接觸，

所述第二基極電極具有比所述第二發(fā)射極電極小的面積，且設(shè)于所述 第一基極電極及所述第一發(fā)射極電極上并與所述第一基極電極接觸，

所述第一發(fā)射極電極和所述第一基極電極均形成為長(zhǎng)條狀，所述第二 基極電極與全部的所述第一基極電極的端部接觸，所述第二發(fā)射極電極與 全部的所述第一發(fā)射極電極接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一基極電極 分別與配置于該第一基極電極的延伸方向的多個(gè)所述基極區(qū)域全部接觸。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一發(fā)射 極電極與所述第一基極電極平行地配置。

4.如權(quán)利要3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二基極電極的 面積為所述第二發(fā)射極電極的面積的三分之一以下。

5.如權(quán)利要4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二基極電極和 所述第二發(fā)射極電極的分界部在與所述第一基極電極及所述第一發(fā)射極電 極的延伸方向垂直的方向上延伸。

6.如權(quán)利要5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述發(fā)射極區(qū)域設(shè)置 成格子狀。

7.如權(quán)利要6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二基極電極包 括具有第一寬度的基極襯墊部和具有比該第一寬度窄的第二寬度的基極配 線部，所述第一寬度確保引線接合所需要的寬度，所述第二寬度確保由一 個(gè)所述基極區(qū)域和包圍該基極區(qū)域的所述發(fā)射極區(qū)域構(gòu)成的一個(gè)單元的寬 度。

8.如權(quán)利要7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二發(fā)射極電極 包括：與所述基極襯墊部相對(duì)的發(fā)射極配線部；與所述基極配線部相對(duì)且 面積比所述發(fā)射極配線部的面積大的發(fā)射極襯墊部。

9.如權(quán)利要8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

設(shè)于所述發(fā)射極襯墊部上的導(dǎo)電性粘合劑；和

利用該導(dǎo)電性粘合劑粘合于所述發(fā)射極襯墊部的大致中央的金屬片。