[發(fā)明專利]微機電的結(jié)構(gòu)及制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910166465.3
• 申請日: 2009-08-19
• 公開（公告）號: CN101993033A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邱奕翔;葉力墾;劉政諺;陳曉翔
• 申請（專利權(quán)）人: 微智半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

1.一種微機電的制造方法，其特征在于，該方法的步驟包含：

a.濕式蝕刻法移除一基板上的一微結(jié)構(gòu)旁的一蝕刻道中多層金屬層，其中該些金屬層與氧化硅交互堆疊，且氧化硅兩邊具有一通道；

b.超音波震蕩去除該蝕刻道中殘留的氧化硅；

c.利用深反應(yīng)離子蝕刻法蝕刻該基板；以及

d.對該基板進行背蝕刻，以形成一懸浮式微結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機電的制造方法，其特征在于，在步驟b中使用一溶液進行超音波震蕩，該溶液是水、丙酮或異丙醇。

3.一種微機電的制造方法，其特征在于，該方法的步驟包含：

a.濕式蝕刻法移除一基板上的一微結(jié)構(gòu)旁的一蝕刻道中多層金屬層，其中該些金屬層與氧化硅交互堆疊，且氧化硅兩旁具有一通道；

b.蝕刻去除該蝕刻道中殘留的氧化硅；

c.利用深反應(yīng)離子蝕刻法蝕刻該基板；以及

d.對該基板進行背蝕刻，以形成一懸浮式微結(jié)構(gòu)。

4.一種微機電的制造方法，其特征在于，該方法的步驟包含：

a.形成一微結(jié)構(gòu)與一蝕刻道于一基板上，其中該蝕刻道中包含多層金屬層與多層氧化層交互堆疊，且該些氧化層兩邊具有一信道，而該微結(jié)構(gòu)頂端與該蝕刻道頂端非同一平面；

b.濕式蝕刻法移除該蝕刻道中該些金屬層；

c.去除該蝕刻道中殘留的該些氧化層；

d.利用深反應(yīng)離子蝕刻法蝕刻該基板；以及

e.對該基板進行背蝕刻，形成一懸浮式微結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微機電的制造方法，其特征在于，進行步驟c的方法是超音波震蕩法或蝕刻法。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微機電的制造方法，其特征在于，進行步驟e前，還包含：

形成一覆蓋層，于該基板上方，以保護微結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微機電的制造方法，其特征在于，進行步驟d前，還包含：

沉積一光阻層，于該基板下方，以定義背蝕刻區(qū)域。

8.一種微機電結(jié)構(gòu)，其特征在于，為權(quán)利要求4所述的步驟a中所形成的結(jié)構(gòu)，包含：

一基板；

一微結(jié)構(gòu)，于該基板上，該微結(jié)構(gòu)外圍具有一氧化硅包覆，并于該氧化硅頂端具有一阻擋層；以及

一蝕刻道，于該微結(jié)構(gòu)旁，該蝕刻道為多層金屬層與多層氧化層交互堆疊，且該些氧化層兩旁具有一信道，其中該微結(jié)構(gòu)外圍的該氧化硅頂端的該阻擋層，與該蝕刻道頂端的金屬層非同一平面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微機電結(jié)構(gòu)，其特征在于，該信道為導(dǎo)孔或觸孔。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微機電結(jié)構(gòu)，其特征在于，該微結(jié)構(gòu)為多層金屬層間以多層導(dǎo)電層相連。