[發明專利]一種存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法

無效

• 申請號: 200910166451.1
• 申請日: 2009-08-17
• 公開（公告）號: CN101677017A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 吳昭誼
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/06;G11C11/56;H01L27/115;G11C16/14;G11C16/10;G11C16/26
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 梁愛榮

1.一種存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，包括：

該存儲器陣列包括：

一半導體基底；

一第一源極/漏極；

一第二源極/漏極；

一井區，位于該第一源極/漏極與該第二源極/漏極之間；

多個存儲單元，配置于該半導體基底上，且位于該第一源極/汲極與該第二源極/漏極之間，每一該多個存儲單元包括位于該井區上之至少一氧化層以及位于該至少一第一氧化層的一電荷儲存層；

多個字符線，分別連接至該多個存儲單元其中之一；以及

多個位線，與該多個存儲單元的該第一源極/漏極與該第二源極/漏極作電性通訊；

該方法包括：

施加一井區參考電壓至該多個存儲單元的該井區；

施加一抹除電壓至該多個字符線；以及

施加一位線參考電壓至該多個位線。

2.如權利要求1所述的存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，其特征在于，該多個字符線的該抹除電壓為14伏特至20伏特的直流電壓。

3.如權利要求1所述的存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，其特征在于，該多個存儲單元包括配置于該電荷儲存層之上的至少一第二氧化層。

4.如權利要求1所述的存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，其特征在于，該多個存儲單元包括配置于該電荷儲存層之下的至少一第二氧化層。

5.如權利要求4所述的存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，其特征在于，該抹除電壓為負14伏特至負20伏特的直流電壓。

6.如權利要求1所述的存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，其特征在于，還包括一程序化方法，該程序化方法包括：

施加該井區參考電壓至該井區；

施加一程序化電壓至與一欲程序化存儲單元相對應的該多個字符線其中之一；

施加一字符線關閉電壓至該存儲器陣列中非與該欲程序化存儲單元對應之該多個字符線；

施加一存儲單元位程序化電壓至與該欲程序化存儲單元之被選定的該第一或第二源極/漏極一端所對應的該多個位線，該存儲單元位程序化電壓足以使電子從未被選定的該第一或第二源極/漏極穿過該井區而至該電荷儲存層以程序化與被選定的該第一或第二源極/漏極對應的一位；

施加一參考電壓至與該欲程序化存儲單元之未被選定的該第一源極/漏極與該第二源極/漏極一端所對應的該多個位線；以及

允許其余的位線電性浮接。

7.如權利要求6所述的存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，其特征在于，該多個字符線其中之一的該程序化電壓為介于6伏特至10伏特之間的直流電壓。

8.如權利要求6所述的存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，其特征在于，該字符線關閉電壓為介于負3伏特至負6伏特之間的直流電壓。

9.如權利要求6所述的存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，其特征在于，該存儲單元位程序化電壓為介于4伏特至6伏特之間的直流電壓。

10.如權利要求6所述的存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，其特征在于，還包括一讀取方法，該讀取方法包括：

施加該井區參考電壓至該井區；

施加一讀取電壓至與一欲讀取存儲單元對應的該多個字符線其中之一；

施加一字符線關閉電壓至該存儲器陣列中非與該欲程序化存儲單元對應的該多個字符線；

施加一存儲單元位讀取電壓至與該欲讀取存儲單元之未被選定的該第一或第二源極/漏極一端所對應的該多個位線；

施加一讀取參考電壓至與該欲讀取存儲單元之被選定的該第一或第二源極/漏極一端所對應的該多個位線；以及

允許其余的位線電性浮接。

11.如權利要求10所述的存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，其特征在于，該字符線讀取電壓為介于負3伏特至6伏特的直流電壓。

12.如權利要求10所述的存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，其特征在于，該字符線關閉電壓為介于負3伏特至負6伏特的直流電壓。

13.如權利要求10所述的存儲器陣列中的非揮發存儲單元的運作方法，其特征在于，該存儲單元位讀取電壓為介于1伏特至2伏特的直流電壓。