[發明專利]寫入相變存儲器元件的方法

無效

• 申請號: 200910166450.7
• 申請日: 2009-08-17
• 公開（公告）號: CN101777380A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發明（設計）人: 陳逸舟
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/06;G11C11/56
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種操作存儲單元的方法，其中該存儲單元包括一相變存儲器元件，該相變存儲器元件可程序化至多個電阻狀態，所述電阻狀態包括一較高電阻狀態與一較低電阻狀態，該操作存儲單元的方法包括：

施予一偏壓配置至該存儲單元以將所述電阻狀態從該較高電阻狀態改變至該較低電阻狀態，其中施予該偏壓配置至該存儲單元包括施予該相變存儲器元件的一第一電壓脈沖與一第二電壓脈沖，且該第二電壓脈沖的電壓極性不同于該第一電壓脈沖。

2.如權利要求1所述的操作存儲單元的方法，其中該存儲單元還包括一第一電極與一第二電極，該相變存儲器元件電性耦接該第一電極至該第二電極，該相變存儲器元件具有與該第一電極與該第二電極相隔的一主動區。

3.如權利要求1所述的操作存儲單元的方法，其中該存儲單元還包括一第一電極、一第二電極與一介電間隙物，其中該介電間隙物介于該第一電極與該第二電極之間，該相變存儲器元件包括跨過該介電間隙物的一相變材質電橋以接觸該第一電極與該第二電極，該相變存儲器元件在該第一電極與該第二電極之間定義出一極間路徑，該極間路徑的長度由該介電間隙物的寬度決定。

4.如權利要求1所述的操作存儲單元的方法，其中該相變存儲器元件包括一成核支配相變材質。

5.如權利要求1所述的操作存儲單元的方法，其中該第一電壓脈沖與該第二電壓脈沖各自具有前緣與后緣，該第二電壓脈沖的前緣與該第一電壓脈沖的后緣差距不超過5納秒。

6.如權利要求1所述的操作存儲單元的方法，其中該第一電壓脈沖與該第二電壓脈沖具有一間隔，該間隔小于該第一電壓脈沖的殘余效應的一安定時間；該第一電壓脈沖與該第二電壓脈沖具有小于或等于200納秒的一間隔。

7.如權利要求1所述的操作存儲單元的方法，其中該第一電壓脈沖與該第二電壓脈沖具有各自的脈沖高度與脈沖寬度，該第二電壓脈沖的脈沖高度小于或等于該第一電壓脈沖的脈沖高度；該第二電壓脈沖的脈沖高度與該第一電壓脈沖的脈沖高度的比值介于0.5至1之間。

8.如權利要求7所述的操作存儲單元的方法，其中該第二電壓脈沖的脈沖高度小于相變存儲器元件的一臨界電壓。

9.一種存儲器裝置，包括：

一存儲單元，包括一相變存儲器元件，該相變存儲器元件可程序化至多個電阻狀態，所述電阻狀態包括一較高電阻狀態與一較低電阻狀態；以及

一偏壓電路，用以施予一偏壓配置至該存儲單元以將所述電阻狀態從該較高電阻狀態改變至該較低電阻狀態，其中該偏壓配置包括施予該相變存儲器元件的一第一電壓脈沖與一第二電壓脈沖，且該第二電壓脈沖的電壓極性不同于該第一電壓脈沖。

10.如權利要求9所述的存儲器裝置，其中該存儲單元包括一第一電極與一第二電極，其中該相變存儲器元件電性耦接該第一電極至該第二電極，該相變存儲器元件具有與該第一電極與該第二電極相隔的一主動區。

11.如權利要求9所述的存儲器裝置，其中該存儲單元包括一第一電極、一第二電極與一介電間隙物，其中該介電間隙物介于該第一電極與該第二電極之間，該相變存儲器元件包括跨過該介電間隙物的一相變材質電橋以接觸該第一電極與該第二電極，該相變存儲器元件在該第一電極與該第二電極之間定義出一極間路徑，該極間路徑的長度由該介電間隙物的寬度決定。

12.如權利要求9所述的存儲器裝置，其中該相變存儲器元件包括一成核支配相變材質。

13.如權利要求9所述的存儲器裝置，其中該第一電壓脈沖與該第二電壓脈沖具有各自前緣與后緣，該第二電壓脈沖的前緣與該第一電壓脈沖的后緣差距不超過5納秒。

14.如權利要求9所述的存儲器裝置，其中該第一電壓脈沖與該第二電壓脈沖具有一間隔，該間隔小于該第一電壓脈沖的殘余效應的一安定時間；該第一電壓脈沖與該第二電壓脈沖具有小于或等于200納秒的一間隔。

15.如權利要求9所述的存儲器裝置，其中該第一電壓脈沖與該第二電壓脈沖具有各自的脈沖高度與脈沖寬度，該第二電壓脈沖的脈沖高度小于或等于該第一電壓脈沖的脈沖高度；該第二電壓脈沖的脈沖高度與該第一電壓脈沖的脈沖高度的比值介于0.5至1之間。

16.如權利要求15所述的存儲器裝置，其中該第二電壓脈沖的脈沖高度小于相變存儲器元件的一臨界電壓。