[發明專利]半導體器件

無效

• 申請號: 200910166007.X
• 申請日: 2009-08-07
• 公開（公告）號: CN101645461A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 田中浩治
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種半導體器件，包括：

元件隔離膜，其形成在一種導電類型的半導體層表面上；

柵電極，其布置在由所述元件隔離膜分開的元件形成區上，并且其具有一對位于所述元件隔離膜和所述元件形成區之間的邊界上的端部；

形成在所述元件形成區中的具有反型導電類型的源極區和漏極區，并且所述源極區和漏極區被布置成將所述柵電極正下方的區域夾在中間；以及

雜質擴散區，其具有所述一種導電類型，并且形成在所述元件形成區中，其中，

所述源極區被布置成與所述元件形成區中的所述柵電極正下方的區域中的、所述元件隔離膜和所述元件形成區之間的邊界側上的區域相分離，

所述一種導電類型的所述雜質擴散區與所述源極區以及在所述柵電極正下方的區域的所述邊界側上的所述區域相接觸，

所述一種導電類型的所述雜質擴散區中的與所述邊界側上的所述區域相鄰的部分位于所述源極區和所述元件隔離膜之間，以及

所述一種導電類型的所述雜質擴散區不布置在所述漏極區和所述元件隔離膜之間。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述漏極區的外周部分與在所述元件隔離膜和所述元件形成區之間的邊界的、比所述柵電極更靠近所述漏極區的部分的整個長度相接觸，以及與在所述元件形成區中的所述柵電極正下方的區域的整個長度相接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述一種導電類型的所述雜質擴散區的電勢等于所述半導體層的電勢。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

在所述一種導電類型的所述雜質擴散區中的一種導電類型的雜質濃度不小于在所述源極區中的所述反型導電類型的雜質濃度。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述一種導電類型的所述雜質擴散區的電阻不大于所述源極區的電阻。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述源極區具有一對被布置成與所述柵電極正下方的所述區域中的邊界側上的所述區域相分離的端部，

所述源極區不形成在與所述邊界側上的所述區域相鄰的所述一種導電類型的所述雜質擴散區中的區域中，所述源極區的所述端部中的每個與所述元件隔離膜相分離，以及

所述一種導電類型的所述雜質擴散區與在所述柵電極正下方的所述區域的所述邊界側上的所述區域相接觸，并且被形成為與所述源極區的所述一對端部的整個表面相接觸，其中所述整個表面與所述元件隔離膜相對。