[發明專利]內存工作電壓范圍測量方法

無效

• 申請號: 200910165935.4
• 申請日: 2009-08-18
• 公開（公告）號: CN101996118A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 孫佑良
• 申請（專利權）人: 英業達股份有限公司
• 主分類號: G06F11/24
• 分類號: G06F11/24
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

技術領域

本發明是有關于一種電壓范圍測量方法，且特別是有關于一種內存工作電壓范圍測量方法。

背景技術

只要打開計算機，計算機中的數據或程序，都需要靠內存(Memory)來暫時儲存管理。所以內存可以說是計算機系統中的最佳倉儲管理員。內存其實不止一種，按功能又可分成只讀存儲器(Read?Only?Memory，ROM)、閃存(Flash?Memory)以及隨機存取內存(Read?Access?Memory，RAM)等三種。

其中，隨機存取內存亦可稱為主存儲器，可用以隨時讀寫，且具有極快得數據傳輸速度。因此，通常使用隨機存取內存作為操作系統或其它正在執行中的程序的臨時數據儲存媒介。隨機存取內存可分為靜態隨機存取內存(StaticRAM，SRAM)和動態隨機存取內存(Dynamic?RAM，DRAM)。其中，SRAM具有快速存取的優點。但由于SRAM生產成本較為昂貴，常被應用在快取(cache)。而DRAM由于具有較低的單位容量價格，所以被大量的采用作為系統的主存儲器。

然而，在內存的使用時，需提供內存正確的工作電壓，才能使內存正常運作。因此，如何測量內存正常工作的工作電壓范圍，作為內存電壓的設定依據，實為目前亟待解決的問題之一。

發明內容

因此，本發明的一目的是在提供一種內存工作電壓范圍測量方法，用以測量內存的工作電壓范圍。通過陸續提供不同工作電壓給內存，并進行內存測試程序(memory?stress)，以取得內存的一第一電壓臨界值。在計算機不正常運作時，通過重新開機接口觸發計算機重新開機，以繼續取得內存的一第二電壓臨界值。如此一來，通過第一電壓臨界值以及第二電壓臨界值，即可得知內存的工作電壓范圍。

依據本發明一實施例，一種內存工作電壓范圍測量方法包含：使一內存插設于一計算機。其中，計算機包含一重新開機接口。令一參考電壓作為一工作電壓，以提供給內存，并使計算機使用內存執行一內存測試程序。持續偵測計算機是否正常運作。在計算機執行完成內存測試程序時，將內存的工作電壓記錄為一先前電壓。將工作電壓加上一偏移量。提供加上后的工作電壓給內存，并使計算機使用內存執行內存測試程序。在計算機不正常運作時，判定先前電壓為內存的一第一電壓臨界值，透過重新開機接口，觸發計算機重新開機，測量內存的一第二電壓臨界值。

其中，測量內存的第二電壓臨界值包含：令參考電壓減去偏移量作為工作電壓，以提供給內存，并使計算機使用內存執行內存測試程序。在計算機執行完成內存測試程序時，將內存的工作電壓記錄為另一先前電壓。將工作電壓減去偏移量。提供減去后的工作電壓給內存，并使計算機使用內存執行內存測試程序。在計算機不正常運作時，判定另一先前電壓為內存的第二電壓臨界值。其中，可判定內存的一工作電壓范圍為第一電壓臨界值以及第二電壓臨界值之間。

其中，持續偵測計算機是否正常運作包含：持續自計算機接收一確認回復。在自計算機收到確認回復時，判定計算機仍正常運作。其中，內存工作電壓范圍測量方法還包含持續傳送一確認要求至計算機。確認回復是透過一確認接口所取得。一確認接口可為內部整合電路(Inter-Integrated?Circuit，I2C)、串行端口(Communication?port，COM)或網絡。

其中，重新開機接口可為基板管理控制器(Base?Management?Controller，BMC)。工作電壓是透過一可調整電壓的治具提供給內存。偏移量可透過一使用者接口設定。

應用本發明具有下列優點。可通過陸續提供多組不同工作電壓給內存，而取得內存的工作電壓范圍，作為設定內存電壓時的依據。此外，即使所提供的電壓不在內存的工作電壓范圍內，而造成計算機無法繼續正常運作，仍可在計算機重新開機后，重新設定所提供的工作電壓，而使得計算機繼續執行內存工作電壓范圍測量方法。因此，在測量內存工作電壓范圍的過程中，不需使用人力在一旁隨時準備將計算機重新開機。另外，在使用者透過使用者接口設定較小的偏移量時，可使所測得的工作電壓范圍較為精確；在使用者透過使用者接口設定較大的偏移量時，可使測量時所需提供的工作電壓的組數減少，因而減少測量所需的時間。

附圖說明

為讓本發明的上述和其它目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下：

圖1是依照本發明一實施例的一種內存工作電壓范圍測量方法的流程圖；

圖2是圖1中步驟210的一實施例。

【主要組件符號說明】

100：內存工作電壓范圍測量方法

110～219：步驟