[發(fā)明專利]可編程導(dǎo)體隨機存取存儲器以及向其中寫入的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910165584.7
• 申請日: 2002-12-16
• 公開（公告）號: CN101615426A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: G·哈斯
• 申請（專利權(quán)）人: 微米技術(shù)有限公司
• 主分類號: G11C13/02
• 分類號: G11C13/02;G11C7/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 柯廣華;李家麟

1.一種操作存儲單元的方法，所述方法包括：

提供由位線和行線來尋址的存儲單元；

把所述位線預(yù)充電為第一電壓并且利用所述位線的寄生電容保持 所述預(yù)充電；

把第二電壓施加到與所述存儲單元中存儲元件的第一端子相連接 的公共單元板；以及

通過給所述行線施加預(yù)定電壓，把所述存儲元件的第二端子連接 到所述位線，

其中所述連接允許所述存儲元件上的電壓足以將預(yù)定阻態(tài)寫入所 述存儲元件。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二電壓大于所 述第一電壓。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一電壓大于所 述第二電壓。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括有選擇地把至 少一個電容器耦合到所述位線以接收和存儲所述第一電壓。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，還包括操作晶體管以 有選擇地把所述至少一個電容器耦合到所述位線。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述位線具有大約500 fF的寄生電容。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述存儲元件包括摻 雜了銀的Ge:Se玻璃成分。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述連接還包括使晶 體管能夠把所述第二端子連接到所述位線。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述晶體管通過給所 述行線施加的預(yù)定電壓而導(dǎo)通。

10.一種存儲單元，包括：

硫?qū)俅鎯υ渲兴龃鎯卧牧驅(qū)俅鎯υc其它存儲單 元的多個其它硫?qū)俅鎯υO(shè)置為陣列的一部分，所述存儲單元的硫 屬存儲元件與所述其它存儲單元的多個其它硫?qū)俅鎯υ髯苑謩e具 有第一端子與第二端子；

第一存儲器線；

用于有選擇地把所述第一存儲器線預(yù)充電為第一電壓或第二電壓 的電路；

用于把第三電壓提供給所述存儲單元的硫?qū)俅鎯υ谝欢俗雍? 所述其它存儲單元的多個其它硫?qū)俅鎯υ髯缘牡谝欢俗拥墓矄? 元板；以及

用于在所述第一存儲器線已經(jīng)被預(yù)充電之后可轉(zhuǎn)換地通過所述存 儲單元的硫?qū)俅鎯υ牡诙俗玉詈系剿龅谝淮鎯ζ骶€的器件， 所述器件使電壓被施加到所述存儲單元的硫?qū)俅鎯υ退銎渌? 儲單元的多個其它硫?qū)俅鎯υ希渲兴鲭妷鹤阋詫蓚€預(yù)定阻 態(tài)之一寫入在所述存儲單元的硫?qū)俅鎯υ@要根據(jù)在所述存儲器 線上預(yù)充電到所述第一電壓還是第二電壓而定。

11.如權(quán)利要求10所述的存儲單元，其特征在于，所述第三電壓 處于所述第一和第二電壓之間。

12.如權(quán)利要求10所述的存儲單元，其特征在于，所述第一存儲 器線包括用于保持所施加的預(yù)充電電壓的寄生電容。

13.如權(quán)利要求10所述的存儲單元，其特征在于，還包括耦合到 所述第一存儲器線以接收和保持所述預(yù)充電電壓的至少一個電容器。

14.如權(quán)利要求13所述的存儲單元，其特征在于，還包括開關(guān)器 件，用于有選擇地把所述至少一個電容器耦合到所述第一存儲器線。

15.如權(quán)利要求12所述的存儲單元，其特征在于，所述第一存儲 器線具有大約500fF的寄生電容。