[發(fā)明專利]基板處理控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910165569.2
• 申請日: 2009-07-30
• 公開（公告）號: CN101640168A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 齊藤進;清水昭貴
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;G05B19/04
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

1.一種基板處理控制方法，在對表面上形成有第一微小構(gòu)造和第二微小構(gòu)造的基板實施規(guī)定的基板處理的基板處理裝置中，控制所述規(guī)定的基板處理，其中，第一微小構(gòu)造具有照射的光的波長以下的尺寸的形狀，第二微小構(gòu)造具有照射的光的波長以上的尺寸的形狀，所述規(guī)定的基板處理使所述第一微小構(gòu)造的形狀的尺寸發(fā)生變化，該基板處理控制方法的特征在于，包括：

反射率光譜計算步驟，其針對所述第一微小構(gòu)造和所述第二微小構(gòu)造的各形狀的尺寸，預先計算得到所述第一微小構(gòu)造的形狀的尺寸變化后的第一反射率的光譜和第二反射率的光譜，其中，該第一反射率的光譜是來自所述第一微小構(gòu)造的反射光的反射率的光譜，該第二反射率的光譜是來自所述第二微小構(gòu)造的反射光的反射率的光譜；

反射率光譜疊加步驟，其將得到的所述第一反射率的光譜和得到的所述第二反射率的光譜疊加，得到針對所述第一微小構(gòu)造和所述第二微小構(gòu)造的各形狀的尺寸的參考光譜數(shù)據(jù)；

反射率光譜實測步驟，其向所述基板照射光，并實測來自所述基板的所述第一微小構(gòu)造和所述第二微小構(gòu)造的反射光，得到該實測出的反射光的反射率的光譜，作為實測光譜數(shù)據(jù)；

形狀尺寸計算步驟，其對所述實測光譜數(shù)據(jù)和各所述參考光譜數(shù)據(jù)進行比較，計算出與最接近于所述實測光譜數(shù)據(jù)的所述參考光譜數(shù)據(jù)對應(yīng)的所述第一微小構(gòu)造和所述第二微小構(gòu)造的形狀的尺寸，作為被測定的所述第一微小構(gòu)造和所述第二微小構(gòu)造的形狀的尺寸；和

基板處理結(jié)束步驟，在計算出的所述第一微小構(gòu)造和所述第二微小構(gòu)造的形狀的尺寸達到期望值的情況下，結(jié)束所述規(guī)定的基板處理，

在所述反射率光譜計算步驟中，使用嚴格耦合波分析(RCWA)法，根據(jù)來自所述第一微小構(gòu)造的反射光得到所述第一反射率的光譜，使用標量分析，根據(jù)來自所述第二微小構(gòu)造的反射光得到所述第二反射率的光譜。

2.如權(quán)利要求1所述的基板處理控制方法，其特征在于：

在所述反射率光譜疊加步驟中，根據(jù)所述第一微小構(gòu)造和所述第二微小構(gòu)造存在于光斑中的比率，將所述得到的第一反射率的光譜和所述得到的第二反射率的光譜疊加。

3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理控制方法，其特征在于：

所述第一微小構(gòu)造和所述第二微小構(gòu)造在所述基板的表面上不重疊。

4.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理控制方法，其特征在于：

所述照射的光在所述基板的表面上的直徑為20mm以上。