[發明專利]太陽能電池模塊無效
| 申請號: | 200910165379.0 | 申請日: | 2009-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN101645470A | 公開(公告)日: | 2010-02-10 |
| 發明(設計)人: | 三島孝博;坂田仁 | 申請(專利權)人: | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/02 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 | 代理人: | 龍 淳 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 模塊 | ||
優先權主張
本發明根據專利法第二十九條,主張2008年8月8日提出的發明名稱為“太陽能電池模塊”的日本利申請P2008-205878號的優先權,其全部內容作為參照引入本申請中。
技術領域
本發明涉及具備背面接合型的太陽能電池的太陽能電池模塊。
背景技術
太陽能電池,由于能夠將清潔的、可無窮盡供給的太陽光直接轉換為電,因而作為一種新的能源受到期待。每個這種太陽能電池的輸出為幾W左右。因此,在作為住宅和樓房等的電力源(能量源)而使用太陽能電池的情況下,使用通過電連接多個太陽能電池來提高輸出的太陽能電池模塊。
這里,在日本特開2005-11869號中公開了一種所謂的背面接合型的太陽能電池的方案,即以放大受光面積為目的,在半導體基板的背面上條紋狀地形成多個n型區域和多個p型區域。在各n型區域上形成有n側細線電極,在各p型區域上形成有p側細線電極。各n側細線電極與在背面的一端部形成的n側連接用電極連接,各p側電極與在背面的另一端部形成的p側連接用電極連接。使配線件連接一個太陽能電池的n側連接用電極和與該一個太陽能電池相鄰的另一個太陽能電池的p側連接用電極,由此,一個太陽能電池和另一個太陽能電池電連接。
然而,存在在半導體基板的背面中n側連接用電極與p側連接用電極形成的區域內,光生成載流子(電子或空穴)的收集效率低的問題。具體而言,由于不通過n側連接用電極來收集空穴,所以半導體基板的背面中形成有n側連接用電極的區域帶正電。其結果,使得n側連接用電極不能有效地收集電子。同樣,也使得p側連接用電極不能有效地收集空穴。
本發明是鑒于上述問題而研發的,其目的在于提供一種太陽能電池模塊,能夠抑制太陽能電池中光生成載流子的收集效率降低。
發明內容
本發明提供一種太陽能電池模塊,其包括:第一太陽能電池;和與上述第一太陽能電池沿排列方向排列、并且與所述第一太陽能電池電連接的第二太陽能電池,其中,上述第一和第二太陽能電池包括:受光面;設置在上述受光面的相反側的背面;在上述背面上沿上述排列方向形成的多個n側電極;在上述背面上沿述排列方向形成的多個p側電極;和電連接上述第一太陽能電池與第二太陽能電池、且在上述第一太陽能電池與上述第二太陽能電池各自具有的上述多個n側電極和上述多個p側電極的各個上跨越設置的配線件,上述第一太陽能電池具備覆蓋上述第一太陽能電池具有的上述多個n側電極的各個之中至少與上述配線件相對的面的n側電極絕緣部件,上述第二太陽能電池具備覆蓋上述第二太陽能電池具有的上述多個p側電極的各個之中至少與上述配線件相對的面的p側電極絕緣部件。
根據上述太陽能電池模塊,第一太陽能電池具有的各n側電極與配線件電隔離,第二太陽能電池具有的各p側電極與配線件電隔離。因此,通過配線件能夠電連接第一太陽能電池具有的各p側電極與第二太陽能電池具有的各n側電極。因而,各太陽能電池無需設置用于連接配線件的連接用電極,因此,能夠抑制光生成載流子的收集效率降低。
本發明的另一目的在于,提供一種太陽能電池模塊,其包括:第一太陽能電池;和與上述第一太陽能電池沿排列方向排列、并且與上述第一太陽能電池電連接的第二太陽能電池;其中,上述第一和第二太陽能電池包括:受光面;設置在上述受光面的相反側的背面;在上述背面上沿上述排列方向形成的n側電極;在上述背面沿上述排列方向形成的p側電極;和在上述第一太陽能電池具有的上述p側電極上和上述第二太陽能電池具有的上述n側電極上跨越設置的配線件,其中,上述第一太陽能電池具有的上述n側電極中至少與上述配線件相對的面被絕緣部件覆蓋,上述第二太陽能電池具有的上述p側電極中至少與上述配線件相對的面被絕緣部件覆蓋。
附圖說明
圖1是第一實施方式涉及的太陽能電池模塊100的側視圖。
圖2是從背面側看第一實施方式涉及的多個太陽能電池10時的平面圖。
圖3是第一實施方式涉及的太陽能電池10的背面側的平面圖。
圖4A是沿圖3的M-M線的截面圖。圖4B是沿圖3N-N線的截面圖。
圖5A是沿圖3的O-O線的截面圖。圖5B是沿圖3的P-P線的截面圖。
圖6A是沿圖2的L-L線的截面圖。圖6B是沿圖2的K-K線的截面圖。
圖7A是表示n側電極12的結構的放大截面圖。圖7B是表示p側電極13的結構的放大截面圖。
圖8A是沿圖2的L-L線的截面圖。圖8B是沿圖2的K-K線的截面圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





