[發明專利]氮化物半導體發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 200910165303.8
• 申請日: 2009-08-05
• 公開（公告）號: CN101645482A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 筆田麻佑子
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 葛 青

1.一種氮化物半導體發光元件，其特征在于，依次包括：

第二電極、由電介體構成的反射層、透明導電層、p型氮化物半導體層、 發光層、n型氮化物半導體層、第一電極。

2.如權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，依次包括：

第二電極、支承襯底、由電介體構成的反射層、透明導電層、p型氮化 物半導體層、發光層、n型氮化物半導體層、第一電極。

3.如權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

所述透明導電層由導電性金屬氧化物構成。

4.如權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

所述透明導電層由n型氮化物半導體構成。

5.如權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

由電介體構成的所述反射層具有高折射率電介體構成的層與低折射率 電介體構成的層交互疊層而成的疊層結構。

6.如權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

由電介體構成的所述反射層對于所述發光層發出的發射光具有80～ 100％的反射率。

7.如權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

由所述p型氮化物半導體層、所述發光層及所述n型氮化物半導體層構 成的氮化物半導體層的表面當中，形成有由電介體構成的所述反射層的一側 的表面是平坦的。

8.如權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

由所述p型氮化物半導體層、所速發光層及所述n型氮化物半導體層構 成的氮化物半導體層的表面當中，與形成有由電介體構成的所述反射層的一 側相反的一側的表面具有凹凸形狀。

9.如權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

所述透明導電層在與厚度方向垂直的方向上的長度比所述p型氮化物半 導體層在與厚度方向垂直的方向上的長度短；

由電介體構成的所述反射層，與所述透明導電層的兩側面相接，并與所 述透明導電層的由電介體構成的所述反射層一側的表面相接，并且，與所述 p型氮化物半導體層的所述透明導電層一側的部分表面相接，該部分表面不 與所述透明導電層相接。

10.如權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

由電介體構成的所述反射層在所述透明導電層的正下方的區域中具有 在厚度方向上貫通的貫通口。

11.如權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

所述p型氮化物半導體層具有與所述透明導電層相接而形成的電流阻隔 區域。

12.如權利要求11所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

由電介體構成的所述反射層在所述透明導電層的正下方的區域中具有 在厚度方向上貫通的貫通口；

由電介體構成的所述反射層所具有的貫通口位于所述電流阻隔區域的 正下方。

13.如權利要求2所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

在所述支承襯底與由電介體構成的所述反射層之間，具有含有共晶接合 金屬的金屬或含有此共晶接合金屬的合金構成的單層或多層結構的共晶接 合層。

14.如權利要求13所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

在由電介體構成的所述反射層與所述共晶接合層之間，具有緊密接合 層。

15.如權利要求2所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

所述支承襯底是由電鍍金屬或合金構成的襯底。

16.如權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，

由電介體構成的所述反射層的厚度為0.2～5μm。