[發明專利]拋光用組合物及拋光方法

有效

• 申請號: 200910165248.2
• 申請日: 2005-03-22
• 公開（公告）號: CN101638556A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發明（設計）人: 吳俊輝;河村篤紀;松田剛;平野達彥;酒井謙兒;堀和伸
• 申請（專利權）人: 福吉米株式會社
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02;B24B29/02;H01L21/768
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所
• 代理人: 涂 勇

1.一種拋光用組合物，其特征在于，含有：作為磨料的二氧化硅、選自多糖類及聚乙 烯醇中的至少一種的抑制降低劑，作為螯合劑的α-氨基酸、防腐劑和氧化劑，

拋光用組合物中的所述抑制降低劑的含量為0.01～5質量％，

拋光用組合物中的所述防腐劑的含量為0.0001～0.02質量％，

所述拋光用組合物是將具備有設置在具有溝槽的絕緣層之上的阻擋層和設置在阻擋 層之上的導體層的拋光對象物進行拋光的用途中使用的組合物，所述阻擋層和所述導體層 分別具有位于溝槽之外的部分及位于溝槽中的部分，

所述拋光對象物的拋光包括：通過拋光去除位于溝槽之外的導體層部分的一部分的工 序、和為使絕緣層的上表面露出，通過拋光去除位于溝槽之外的導體層部分的殘余部分及 位于溝槽之外的阻擋層的部分的工序，所述拋光用組合物在去除位于所述溝槽之外的導體 層部分的一部分的工序中使用。

2.如權利要求1所述的拋光用組合物，其特征在于，拋光用組合物中的所述抑制降低 劑的含量為0.05～0.5質量％。

3.如權利要求1或2所述的拋光用組合物，其特征在于，所述多糖類是茁霉多糖。

4.如權利要求1或2所述的拋光用組合物，其特征在于，還含有乳酸。

5.如權利要求1或2所述的拋光用組合物，其特征在于，α-氨基酸是選自甘氨酸及丙 氨酸中的至少一種。

6.一種形成半導體器件的導體配線的方法，其特征在于，該方法具有：

準備具備阻擋層和導體層的拋光對象物的工序、和通過拋光去除位于溝槽之外的導體 層部分和阻擋層部分的工序，

所述阻擋層設置在具有溝槽的絕緣層之上，所述導體層設置在阻擋層之上，所述阻擋 層及所述導體層分別具有位于所述溝槽之外的部分及位于溝槽中的部分，

所述通過拋光去除位于溝槽之外的導體層部分和阻擋層部分的工序包括：

通過拋光去除位于溝槽之外的導體層部分中的一部分的工序、

為使阻擋層的上表面露出，通過拋光去除位于溝槽之外的導體層部分中的另一部分的 工序、

為使絕緣層的上表面露出，通過拋光去除位于溝槽之外的導體層部分中的殘余部分及 位于溝槽之外的阻擋層的部分的工序，

在去除位于溝槽之外的導體層的部分的一部分的工序中，使用權利要求1或權利要求 2所述的拋光用組合物。