[發明專利]場效應晶體管

有效

• 申請號: 200910165165.3
• 申請日: 2003-07-31
• 公開（公告）號: CN101667624A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 小橋昌浩;半田敬信;荒牧晉司;酒井良正
• 申請（專利權）人: 三菱化學株式會社
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張平元

1.一種場效應晶體管，包括絕緣體層，被絕緣體層隔開的柵電極和有機半導體層，如此布置使之與有機半導體層接觸的源電極和漏電極，及包含聚合物的支撐性基板，其中在絕緣體層屈服點的伸長率ε1大于在支撐性基板屈服點的伸長率ε2，且ε1與ε2的比值ε1/ε2至多為15，并且在支撐性基板屈服點的伸長率ε2至少為3.1％，其中ε1與ε2的單位為％。

2.根據權利要求1的場效應晶體管，其中在絕緣體層屈服點的伸長率ε1與在支撐性基板屈服點的伸長率ε2的比值ε1/ε2至多為1.9。

3.根據權利要求1的場效應晶體管，其中所述絕緣體層的厚度為0.1～4μm。

4.根據權利要求2的場效應晶體管，其中所述絕緣體層的厚度為0.1～4μm。

5.根據權利要求1的場效應晶體管，其中所述支撐性基板的厚度為0.01～2mm。

6.根據權利要求2的場效應晶體管，其中所述支撐性基板的厚度為0.01～2mm。

7.根據權利要求3的場效應晶體管，其中所述支撐性基板的厚度為0.01～2mm。

8.根據權利要求4的場效應晶體管，其中所述支撐性基板的厚度為0.01～2mm。

9.根據權利要求1～8中任一項的場效應晶體管，其中所述柵電極布置在支撐性基板上，所述有機半導體層通過絕緣體層布置在柵電極上。

10.根據權利要求1～8中任一項的場效應晶體管，其中所述源電極和漏電極與絕緣體層接觸。

11.根據權利要求9的場效應晶體管，其中所述源電極和漏電極與絕緣體層接觸。

12.根據權利要求1～8中任一項的場效應晶體管，其中所述源電極和漏電極布置在有機半導體層上。

13.根據權利要求9的場效應晶體管，其中所述源電極和漏電極布置在有機半導體層上。

14.根據權利要求1～8中任一項的場效應晶體管，其中所述源電極和漏電極布置在支撐性基板上。

15.根據權利要求1～8中任一項的場效應晶體管，其中所述支撐性基板為選自聚酯，聚碳酸酯，無定形聚烯烴，聚醚砜，聚酰胺及硅氧烷的塑料基板。

16.根據權利要求9的場效應晶體管，其中所述支撐性基板為選自聚酯，聚碳酸酯，無定形聚烯烴，聚醚砜，聚酰胺及硅氧烷的塑料基板。

17.根據權利要求10的場效應晶體管，其中所述支撐性基板為選自聚酯，聚碳酸酯，無定形聚烯烴，聚醚砜，聚酰胺及硅氧烷的塑料基板。

18.根據權利要求11的場效應晶體管，其中所述支撐性基板為選自聚酯，聚碳酸酯，無定形聚烯烴，聚醚砜，聚酰胺及硅氧烷的塑料基板。

19.根據權利要求12的場效應晶體管，其中所述支撐性基板為選自聚酯，聚碳酸酯，無定形聚烯烴，聚醚砜，聚酰胺及硅氧烷的塑料基板。

20.根據權利要求14的場效應晶體管，其中所述支撐性基板為選自聚酯，聚碳酸酯，無定形聚烯烴，聚醚砜，聚酰胺及硅氧烷的塑料基板。

21.根據權利要求1～8中任一項的場效應晶體管，其中所述絕緣體層中的相對介電常數至少為0.2。

22.根據權利要求9的場效應晶體管，其中所述絕緣體層中的相對介電常數至少為0.2。

23.根據權利要求10的場效應晶體管，其中所述絕緣體層中的相對介電常數至少為0.2。

24.根據權利要求11的場效應晶體管，其中所述絕緣體層中的相對介電常數至少為0.2。

25.根據權利要求12的場效應晶體管，其中所述絕緣體層中的相對介電常數至少為0.2。

26.根據權利要求14的場效應晶體管，其中所述絕緣體層中的相對介電常數至少為0.2。

27.根據權利要求15的場效應晶體管，其中所述絕緣體層中的相對介電常數至少為0.2。