[發明專利]電容基板結構

有效

• 申請號: 200910165150.7
• 申請日: 2009-07-23
• 公開（公告）號: CN101964254A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 劉淑芬;陳孟暉;陳碧義;陳云田
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01G4/00
• 分類號: H01G4/00;H01G4/06;H01G4/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種電容基板結構，包括：

絕緣層，該絕緣層夾設于二個導體層之間；

其中該絕緣層包括：

第一介電層及第二介電層；

該第二介電層的介電常數大于該第一介電層的介電常數；以及

該第二介電層包括高介電陶瓷粉體和導電粉體均勻分散于有機樹脂中的混合物。

2.如權利要求1所述的電容基板結構，其中該有機樹脂包括熱固性樹脂或熱塑性樹脂。

3.如權利要求1所述的電容基板結構，其中該高介電陶瓷粉體的粒徑介于30nm至2μm之間，且占該第二介電層總重的5％至95％。

4.如權利要求1所述的電容基板結構，其中該高介電陶瓷粉體包括BaTiO₃、BaSrTiO₃、SrTiO₃、NPO、或它們的組合。

5.如權利要求1所述的電容基板結構，其中該高介電陶瓷粉體摻雜有金屬離子，該金屬離子包括鈣離子、鎂離子、鋯離子、或鉍離子。

6.如權利要求1所述的電容基板結構，其中該導電粉體的粒徑介于10nm至2μm之間，且占該第二介電層總重的0.01％至20％。

7.如權利要求1所述的電容基板結構，其中該導電粉體包括導電炭黑、金屬、金屬氧化物、或它們的組合。

8.如權利要求7所述的電容基板結構，其中該導電炭黑包括高結構炭黑、低結構炭黑、表面具有羧基或表面具有羥基的炭黑或它們的組合。

9.如權利要求7所述的電容基板結構，其中該金屬包括Ni、Al、Ag、Cu、上述金屬的合金、或它們的組合。

10.如權利要求7所述的電容基板結構，其中該金屬氧化物包括Al₂O₃、ZnO、Zn(Al)O、SnO₂、In₂O₃、或它們的組合。

11.如權利要求1所述的電容基板結構，其中該第一介電層包括有機樹脂。

12.如權利要求1所述的電容基板結構，其中該第一介電層為高介電陶瓷粉體均勻混摻于有機樹脂中。

13.如權利要求1所述的電容基板結構，其中該絕緣層還包括第三介電層，該第三介電層包括有機樹脂，該第二介電層夾設于該第一介電層與該第三介電層之間，且該第二介電層的介電常數大于該第三介電層的介電常數。

14.如權利要求1所述的電容基板結構，其中該絕緣層還包括第三介電層，該第三介電層是高介電陶瓷粉體均勻混摻于有機樹脂中，該第二介電層夾設于該第一介電層與該第三介電層之間，且該第二介電層的介電常數大于該第三介電層的介電常數。

15.如權利要求1所述的電容基板結構，還包括穿過部份或全部電容基板結構的穿孔結構，該穿孔結構包括：

內環，其為導體材料；以及

外環，其為介電材料；

其中該介電材料包括有機樹脂，或高介電陶瓷粉體均勻混摻于有機樹脂中。

16.如權利要求15所述的電容基板結構，其中該穿孔結構還包括位于該內環中的氣隙。