[發明專利]氫供給設備

有效

• 申請號: 200910165032.6
• 申請日: 2009-07-20
• 公開（公告）號: CN101629674A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發明（設計）人: 井上大;長尾貴章;小出弘行
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: F17C7/04
• 分類號: F17C7/04;F17C13/00;F17C13/02;C01D3/02;G01F1/68
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司
• 代理人: 江耀純

技術領域

本發明涉及將以液體儲藏的氫返還成常溫之后提供給大致在常溫下使用 氫的設備的氫供給設備。

本申請主張2008年7月18日申請的申請號第2008-187753號的日本專利優 先權。并且通過參照、引用將其內容納入本申請。

背景技術

將在低溫貯槽中儲藏的液體氫升溫及汽化后提供給連接在后段的設備的氫 供給設備已經被實際應用。比如，可以列舉制造高純度石英玻璃的事例，對此， 所使用的方法有VAD法和OVD法，任一方法都是向燃燒器供給氫和氧，對燃 燒的氫氧火焰提供SiCl₄等原料氣體，通過在火焰中加水分解反應生成SiO₂，使 之堆積制造多孔質母材，再用電爐將其加熱后得到透明的高純度的石英玻璃。

在這里使用的氫是常溫制造的氫，或是以常溫儲藏的氫，可考慮作為其中 斷供給的時候的備用品使用液體氫。或是也可以考慮把全部的液體氫汽化之后 供給的氫供給方法。在用VAD法和OVD法的制造設備中，用質量流量計(MFC) 控制對燃燒器供給的氣體的流量。

使用常溫制造的氫的設備，在氫的供給被阻斷時，轉換成供給液體氫汽化 后的氫，此時，發現氫的實際流量有1％左右的變化。同時，通常，即使把液體 氫汽化后使用時，如果其使用量變化，有時氫的實際流量也發生變化。特別是， 在光纖用石英玻璃的制造中，如果發生這樣的氫的實際流量變化，將會使火焰 溫度改變、或者對SiCl₄等的加水分解反應帶來影響、對母材的拉升速度變化、 母材的直徑變化等帶來不良影響，存在不良品的比例增高的問題。

因此，本說明書中包含的技術革新的一個側面的目的在于提供一種能夠解 決上述問題的氫供給設備。該目的由權利要求中的獨立權利要求所記載的特征 組合達成。此外，從屬權利要求進一步規定了本發明更有利的具體例。

即，根據本說明書包含的革新相關的一個側面的氫供給設備的一個例子， 提供氫供給設備，其特征為，將常溫制造的氫或以常溫儲藏的氫轉換成低溫儲 藏的氫之后提供給使用氫的設備時，將低溫的氫返還成常溫之后，經過用于促 進從仲氫向正氫轉換的設備，成為常態氫之后，提供給使用氫的設備。

同時，根據本說明書中包含的革新相關的一個側面的氫供給方法的一例， 提供氫的供給方法，是將低溫氫返還成常溫，經過用于促進從仲氫向正氫轉換 的設備，以常態氫提供給使用氫的設備的方法。

另外，上述發明的概要，并未列舉出本發明的必要的特征的全部，這些特 征群的輔助結合也能夠成本發明。

附圖說明

圖1表示正氫和仲氫的旋轉狀態的模式圖。

圖2表示在各溫度中的平衡狀態的仲氫濃度，縱軸是仲氫濃度(％)、橫軸是 溫度(K)。

圖3表示本發明的液體氫供給裝置具體的構成例。

圖4是說明在本發明的實施例使用的，使用氫的設備的模式圖。

圖5是說明采用VAD法制造光纖用母材的制造方法的模式圖。

圖6表示根據VAD法制造的光纖用母材的折射率分布的概略圖，縱軸表示 比折射率差，橫軸表示預制品的徑向位置。

圖7A表示在實施例1中，將提供給用VAD法的光纖用母材制造裝置的氫， 從常溫制造的氫轉化成液體氫汽化后的氫時的拉升速度變化的示意圖，縱軸表 示粉末堆積體的拉升速度(mm/min)，橫軸是從左向右推進的時間(一刻度2.4小 時)。

圖7B表示在比較例1中，將提供給用VAD法的光纖用母材制造裝置的氫， 從常溫制造的氫轉化成液體氫汽化后的氫時的拉升速度變化。

具體實施方式

以下，通過發明的實施方式說明本發明的一側面，但以下的實施方式并不是 對權利要求所涉及的發明的限制，而在實施方式中說明的特征組合也并非全部 都是發明的解決手段所必須的。

如果對使用常溫制造的氫的設備，轉換供給液體氫汽化后的氫，則發現實 際流量有1％左右的變化，但，在MFC供給的階段，在氫的轉換前后保持同程 度的氫的壓力及溫度，沒有發現以常溫制造的氫和液體氫的純度及雜質濃度有 與這樣的流量變化相關聯的差異。