[發(fā)明專利]制造面發(fā)射激光器及其陣列的方法和光學設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910165013.3 | 申請日： | 2009-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN101640375A | 公開（公告）日： | 2010-02-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 內(nèi)田達朗;井久田光弘;竹內(nèi)哲也 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/18 | 分類號： | H01S5/18;H01S5/183;H01S5/42;G03G15/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 申發(fā)振 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 發(fā)射 激光器 及其 陣列 方法 光學 設備 | ||
1.一種制造面發(fā)射激光器的方法，所述面發(fā)射激光器包括提供在層疊的半導體層上的表面起伏結構，所述方法包含以下步驟：
在所述層疊的半導體層上形成第一介電膜；
在同一個工藝中將用于限定臺面結構的第一圖案和用于限定所述表面起伏結構的第二圖案轉移到所述第一介電膜；
通過使用所述第一圖案和所述第二圖案已經(jīng)被轉移到其上的所述第一介電膜將所述第一圖案和所述第二圖案轉移到所述層疊的半導體層的表面；
在所述第一圖案和所述第二圖案已經(jīng)被轉移到其上的所述第一介電膜以及所述半導體層上形成第二介電膜；
去除在所述第一圖案已經(jīng)被轉移到其上的所述半導體層上所形成的所述第二介電膜；以及
在已經(jīng)去除所述第二介電膜的部分處形成所述臺面結構。
2.根據(jù)權利要求1的方法，還包含以下步驟：在形成所述第二介電膜的步驟之后且在去除所述第二介電膜的步驟之前，在所述第二圖案已經(jīng)被轉移到其上的所述第一介電膜上形成抗蝕劑。
3.根據(jù)權利要求1的方法，還包含以下步驟：在形成所述臺面結構的步驟之后，通過選擇性氧化所述半導體層中的一些層來形成電流限制結構。
4.根據(jù)權利要求3的方法，還包含以下步驟：在形成所述電流限制結構的步驟之后，去除所述第一介電膜和所述第二介電膜。
5.根據(jù)權利要求1的方法，還包含以下步驟：在形成所述臺面結構的步驟之后，去除所述第一介電膜，從而在所述第二圖案已經(jīng)被轉移到其上的所述半導體層上留下所述第二介電膜，
其中滿足下列關系來制造所述面發(fā)射激光器
d＝(Nλ)/(2nd)
其中d表示所述第二介電膜的膜厚，N表示等于或大于1的自然數(shù)，λ表示振蕩波長，而nd表示所述第二介電膜的折射率。
6.根據(jù)權利要求1的方法，其中通過干法刻蝕來執(zhí)行形成所述臺面結構的步驟。
7.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述第一介電膜和所述第二介電膜中的一個由選自氧化硅、氮化硅和氧氮化硅的材料形成。
8.根據(jù)權利要求1的方法，其中：所述第一圖案和所述第二圖案中的每一個為同心圓環(huán)形開口圖案，所述第一圖案的直徑大于所述第二圖案的直徑。
9.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述第一圖案為同心圓環(huán)形開口圖案；而所述第二圖案為其直徑小于所述第一圖案的圓形開口圖案。
10.根據(jù)權利要求1的方法，其中第一圖案為同心的正方環(huán)形開口圖案，所述同心的正方環(huán)形開口圖案的邊長大于所述第二圖案。
11.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述第一圖案為同心的正方環(huán)形開口圖案；而所述第二圖案為其直徑小于所述第一圖案的圓形開口圖案。
12.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述第一圖案的中心軸與所述第二圖案的中心軸對準。
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