[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910164907.0
• 申請(qǐng)日: 2009-07-29
• 公開（公告）號(hào): CN101640070A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 河野和幸;春山星秀;中山雅義;持田禮司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C16/06
• 分類號(hào): G11C16/06;G11C16/24
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 汪惠民

1、一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，具備：

存儲(chǔ)單元；

第1和第2位線，其分別與所述存儲(chǔ)單元的源極和漏極直接或通過選擇晶體管間接連接；

電壓施加電路，其輸出用于施加給所述存儲(chǔ)單元的接地電壓和規(guī)定的正電壓；

列選擇電路，其控制是否向所述第1和第2位線施加從所述電壓施加電路輸出的接地電壓和規(guī)定的正電壓；

第1和第2放電晶體管，其分別設(shè)置在所述第1和第2位線與接地端之間，且柵極接收相互獨(dú)立的放電控制信號(hào)；和

放電控制電路，其生成并輸出所述放電控制信號(hào)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

所述列選擇電路向所述第1位線施加接地電壓，向所述第2位線施加規(guī)定的正電壓，

所述放電控制電路生成并輸出所述放電控制信號(hào)，使所述第1放電晶體管處于激活狀態(tài)，并且使所述第2放電晶體管處于非激活狀態(tài)。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

所述列選擇電路不向所述第1位線施加電壓，而向所述第2位線施加規(guī)定的正電壓，

所述放電控制電路生成并輸出所述放電控制信號(hào)，使所述第1放電晶體管處于激活狀態(tài)，并且使所述第2放電晶體管處于非激活狀態(tài)。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

所述放電控制電路在程序操作終止后，使所述第1和第2放電晶體管均處于激活狀態(tài)。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

所述放電控制電路在讀取操作終止后，使所述第1和第2放電晶體管均處于激活狀態(tài)。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

所述第1和第2位線為主位線，所述第1和第2位線分別經(jīng)由選擇晶體管而與副位線連接，所述副位線與所述存儲(chǔ)單元的源極和漏極連接。