[發明專利]用于濕化電容的基底

無效

• 申請號: 200910164879.2
• 申請日: 2009-08-07
• 公開（公告）號: CN101673620A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 寧剛;澤比埃·林恩·西博爾德;巴拉特·拉瓦爾
• 申請（專利權）人: 阿維科斯公司
• 主分類號: H01G9/00
• 分類號: H01G9/00;H01G9/04
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 鄭立柱

1.一種濕化電容，包括：

陽極；

包括涂敷了電化學活性材料的陽極化金屬基底的陰極，其中，基底包 括在其表面形成的多個孔，所述孔的平均尺寸為10-1500納米；以及

位于陰極和陽極之間的工作電解液；

其中，該孔通過如下而形成：

在該金屬基底上應用一電壓下的電流以影響陽極氧化，并形成該陽極 化基底上的氧化物膜，其中，該電壓低于臨界分解電壓值；以及

將該電壓提高至該臨界分解電壓值之上。

2.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述金屬基底包括鈦或鈦合 金。

3.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述孔的平均尺寸為20-1000 納米。

4.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述陽極化的基底在20℃下 具有1×10^-4ohm-cm或更小的電阻率。

5.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述孔的形狀為管狀。

6.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述孔占所述基底表面的30 ％-70％。

7.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述電化學活性材料包括導 電聚合物。

8.如權利要求7所述的濕化電容，其中，所述導電聚合物包括聚(3，4- 乙撐二氧噻吩)或其衍生物。

9.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述電化學活性材料包括金 屬顆粒、金屬氧化物顆粒或它們的混合物。

10.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述工作電解液包括水性溶 劑。

11.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述陽極包括鉭、鈮或它們 的導電氧化物。

12.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述陽極為陽極化的，并包 括絕緣膜。

13.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述陰極的比電容為10mF／cm²或更高。

14.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述陰極的比電容為 25-100mF／cm²。

15.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述陰極的厚度為100微米 或更低。

16.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述陰極的厚度為10-50微米。

17.如權利要求1所述的濕化電容，其中，所述基底進一步包括金屬層。

18.一種導電陰極，包括涂敷了導電聚合物的陽極化金屬基底，其中， 所述基底包括在其表面形成的多個孔，所述孔的平均尺寸為20-1000納米， 其中，該孔通過如下而形成：

在該金屬基底上應用一電壓下的電流以影響陽極氧化，并形成該陽極 化基底上的氧化物膜，其中，該電壓低于臨界分解電壓值；以及

將該電壓提高至該臨界分解電壓值之上。

19.如權利要求18所述的陰極，其中，所述金屬基底包括鈦或其合金。

20.如權利要求18所述的陰極，其中，所述孔的平均尺寸為50-500納米。

21.如權利要求18所述的陰極，其中，所述孔占所述基底表面的30％-70 ％。

22.如權利要求18所述的陰極，其中，所述導電聚合物包括聚(3，4-乙 撐二氧噻吩)或其衍生物。

23.一種用于濕化電容的陰極的形成方法，包括：

將金屬基底浸漬于陽極化溶液中；

在金屬基底上應用一電壓下的電流以影響陽極氧化，并形成含有氧化 物膜的陽極化基底，其中，該電壓低于臨界分解電壓值；以及

通過將該電壓提高至該臨界分解電壓值之上，使氧化物膜分解以在陽 極化基底表面形成多個孔，所述孔的平均尺寸為10-1500納米。