[發明專利]使用分立導電層重新選擇鍵合線路徑的半導體器件封裝

有效

• 申請號: 200910164716.4
• 申請日: 2009-07-16
• 公開（公告）號: CN101673723A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 魯軍;安荷·叭剌;王曉彬;張艾倫;胡滿升;張曉天
• 申請（專利權）人: 萬國半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/49;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司
• 代理人: 張靜潔;王敏杰

1.一種半導體封裝組件，其特征在于，包含：

具有第一芯片鍵合襯墊和若干引腳的引線框架；

一鍵合到第一芯片鍵合襯墊的第一半導體器件；所述的第一半導體 器件包含一垂直分立半導體器件；以及

一電絕緣導電線路，該電絕緣導電線路由設置在垂直分立半導體器 件頂部的導電材料層中形成；其中，該導電線路被設置為提供第一鍵合 線和第二鍵合線之間的導電路徑；所述的第一鍵合線將電絕緣導電線路 的第一末端連接于若干引腳中的第一引腳，第二鍵合線連接于電絕緣導 電線路的第二末端；所述的導電路徑設置在第三鍵合線的下方傳導，以 避免第三鍵合線和其它鍵合線交叉；或者所述的導電路徑使得第一或第 二鍵合線的長度短于預設的最大長度。

2.如權利要求1所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述的導電線路包 含一金屬線路。

3.如權利要求1所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述的導電線路包 含一導電多晶硅線路。

4.如權利要求1所述的半導體封裝組件，其特征在于，還包含一個封裝物， 該封裝物至少部分的覆蓋垂直分立半導體器件和引線框架。

5.如權利要求1所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述的垂直分立半 導體器件是一個垂直金屬氧化物半導體場效應晶體管。

6.如權利要求1所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述的垂直分立半 導體器件包含雙通道共漏金屬氧化物半導體場效應晶體管。

7.如權利要求1所述的半導體封裝組件，其特征在于，還包含一個第二半 導體器件，所述的第二鍵合線電耦合在導電線路的第二末端和第二半導 體器件之間。

8.如權利要求7所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述的第二半導體 器件包含一個功率控制集成電路，所述的垂直分立半導體器件包含雙通 道共漏金屬氧化物場效應晶體管。

9.如權利要求8所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述的功率控制集 成電路垂直堆棧在雙信道共漏金屬氧化物場效應晶體管的頂部上方。

10.如權利要求9所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述的功率控制 集成電路非導電地貼附設置在雙通道共漏金屬氧化物場效應晶體管的頂 部上方。

11.如權利要求7所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述的引線框架 還包含一個第二芯片鍵合襯墊，該第一和第二芯片鍵合襯墊之間具有一 橫向間距，所述的第二半導體器件鍵合到第二芯片鍵合襯墊。

12.如權利要求11所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述的第一半導 體器件是一個垂直分立金屬氧化物半導體場效應晶體管。

13.如權利要求12所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述的第二半導 體器件是一集成電路。

14.如權利要求6所述的半導體封裝組件，其特征在于，位于導電線路下 方的雙通道共漏金屬氧化物場效應晶體管的區域還包含無源單元或者不 包含單元。

15.如權利要求7所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述的第一半導 體器件的制造不需要額外的掩模步驟。

16.如權利要求1所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述的導電線路 的全部區域少于垂直分立金屬氧化物場效應晶體管的所有有源區域的 5％。

17.如權利要求7所述的半導體封裝組件，其特征在于，還包含一個封裝 物，該封裝物至少部分的覆蓋垂直分立半導體器件、第二半導體器件和 引線框架。