[發(fā)明專利]發(fā)光元件和發(fā)光設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910164537.0
• 申請(qǐng)日: 2005-05-17
• 公開（公告）號(hào): CN101640216A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊木大介;池田壽雄;安部寬子;瀨尾哲史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;G06F1/16;H04M1/02;H04N5/64
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 柯廣華;李家麟

1.一種發(fā)光裝置，包括：

薄膜晶體管；以及

連接到所述薄膜晶體管的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光元件包括：

在陽極和陰極之間的n片發(fā)光層；和

在第m發(fā)光層和第m+1發(fā)光層之間的第一層和第二層，

其中所述第一層包含鉬氧化物和容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)；

其中所述第二層包含容易傳輸電子的物質(zhì)，

其中所述第一層與所述第二層接觸，

其中所述第一層比所述第二層更靠近所述陰極，

其中n是自然數(shù)，以及

其中m是自然數(shù)且小于n。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，

其中所述陽極和所述陰極中的一個(gè)具有比所述陽極和所述陰極中的另一個(gè)的反射率更高的反射率，

其中所述第m+1發(fā)光層的發(fā)射光譜的峰值波長(zhǎng)比所述第m發(fā)光層的發(fā)射光譜的峰值波長(zhǎng)短，以及

其中所述n片發(fā)光層被這樣排列，使所述第m+1發(fā)光層被放置得比所述第m發(fā)光層更靠近所述陰極和所述陽極中具有較高反射率的一個(gè)。

3.一種發(fā)光裝置，包括：

薄膜晶體管；以及

連接到所述薄膜晶體管的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光元件包括：

在陽極和陰極之間提供的n片層組，層組中的每一個(gè)都包括：

包含鉬氧化物和容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)的第一層；

包含容易傳輸電子的物質(zhì)的第二層；和

在所述第一層和所述第二層之間提供的發(fā)光層，

其中在所述n片層組中，第m層組中包括的第一層和第m+1層組中包括的第二層被層壓且互相接觸，

其中所述第m層組中包括的第一層比所述第m+1層組中包括的第二層更靠近所述陰極，

其中n是自然數(shù)，以及

其中m是自然數(shù)且小于n。

4.如權(quán)利要求1或3所述的發(fā)光裝置，其中所述第二層包含具有給電子特性的物質(zhì)。

5.一種發(fā)光裝置，包括：

薄膜晶體管；以及

連接到所述薄膜晶體管的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光元件包括：

陽極；

在所述陽極之上的第一發(fā)光層；

在所述第一發(fā)光層之上的第一層；

在所述第一層之上且與所述第一層接觸的第二層；

在所述第二層之上的第二發(fā)光層；以及

在所述第二發(fā)光層之上的陰極，

其中所述第一層包含容易傳輸電子的物質(zhì)，以及

其中所述第二層包含鉬氧化物和容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中所述第一發(fā)光層發(fā)藍(lán)光，所述第二發(fā)光層發(fā)黃光。

7.一種發(fā)光裝置，包括：

薄膜晶體管；以及

連接到所述薄膜晶體管的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光元件包括：

陽極；

在所述陽極之上發(fā)紅光的第一發(fā)光層；

在所述第一發(fā)光層之上的第一層；

在所述第一層之上且與所述第一層接觸的第二層；

在所述第二層之上發(fā)綠光的第二發(fā)光層；

在所述第二發(fā)光層之上的第三層；

在所述第三層之上且與所述第三層接觸的第四層；

在所述第四層之上發(fā)藍(lán)光的第三發(fā)光層；以及

在所述第三發(fā)光層之上的陰極，

其中所述第一層和所述第三層包含容易傳輸電子的物質(zhì)，以及

其中所述第二層和所述第四層包含鉬氧化物和容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)。

8.如權(quán)利要求5或7所述的發(fā)光裝置，其中所述陰極比所述陽極更有效地反射光。

9.如權(quán)利要求5或7所述的發(fā)光裝置，其中所述第一層包含具有給電子特性的物質(zhì)。

10.如權(quán)利要求1、3、5、7中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光元件發(fā)白光。

11.如權(quán)利要求1、3、5、7中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中所述容易傳輸空穴的有機(jī)物質(zhì)是芳族胺。

12.如權(quán)利要求1、3、5、7中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中所述薄膜晶體管是頂部柵極類型的薄膜晶體管或底部柵極類型的薄膜晶體管。

13.如權(quán)利要求1、3、5、7中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中所述薄膜晶體管包含其中含有氬的氮化硅膜。