[發(fā)明專利]感測(cè)元件結(jié)構(gòu)與制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910164441.4
• 申請(qǐng)日: 2009-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101987719A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳榮泰;許郁文;陳士;林靖淵;潘力齊;何宗哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): B81B7/00
• 分類號(hào): B81B7/00;B81C1/00;B81B3/00;B81C5/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種感測(cè)元件結(jié)構(gòu)，該感測(cè)元件的構(gòu)裝包含：

一基板，具有一上表面；

一感測(cè)構(gòu)件，位于該上表面的上方的一中央?yún)^(qū)域；

一立環(huán)構(gòu)件，位于該上表面的上方并圍繞在該感測(cè)構(gòu)件的四周；以及

至少一外引導(dǎo)線，位于該上表面的上方，該立環(huán)構(gòu)件與該感測(cè)構(gòu)件之間由該至少一外引導(dǎo)線電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的感測(cè)元件結(jié)構(gòu)，其中該立環(huán)構(gòu)件的一上表面的上方還包括一層圖案化的冶金層，作為密封與信號(hào)墊。

3.如權(quán)利要求2所述的感測(cè)元件結(jié)構(gòu)，其中該立環(huán)構(gòu)件至少包括一獨(dú)立立環(huán)以及至少一個(gè)分離凸柱，每一分離凸柱中有一導(dǎo)孔，該導(dǎo)孔的一端與該感測(cè)構(gòu)件的該外引導(dǎo)線電性連接。

4.如權(quán)利要求2所述的感測(cè)元件結(jié)構(gòu)，其中該立環(huán)構(gòu)件至少包括一獨(dú)立立環(huán)以及至少一個(gè)分離凸柱，每一分離凸柱的一端與該感測(cè)構(gòu)件的該外引導(dǎo)線電性連接。

5.如權(quán)利要求2所述的感測(cè)元件的結(jié)構(gòu)，其中該立環(huán)構(gòu)件中包括至少一導(dǎo)孔，該至少一導(dǎo)孔的一端與該感測(cè)構(gòu)件的該外引導(dǎo)線電性連接，并且該至少一導(dǎo)孔與該立環(huán)構(gòu)件之間有一電性隔離層。

6.如權(quán)利要求1所述的感測(cè)元件結(jié)構(gòu)，該感測(cè)元件結(jié)構(gòu)與一蓋板之間經(jīng)由導(dǎo)電材質(zhì)整合為一封裝元件。

7.如權(quán)利要求6所述的感測(cè)元件結(jié)構(gòu)，其中該蓋板包括有集成電路元件。

8.如權(quán)利要求3所述的感測(cè)元件結(jié)構(gòu)，其中該立環(huán)構(gòu)件的一外部表面上還包括一密封墊與至少一信號(hào)墊。

9.如權(quán)利要求8所述的感測(cè)元件結(jié)構(gòu)，其中該至少一信號(hào)墊分布于該至少一導(dǎo)孔的另一端的上方。

10.如權(quán)利要求4所述的感測(cè)元件結(jié)構(gòu)，其中該獨(dú)立立環(huán)的一外部表面上還包括一密封墊，并且每一分離凸柱的一上表面的上方還包括一信號(hào)墊，該信號(hào)墊位于該導(dǎo)孔的另一端的上方。

11.如權(quán)利要求5所述的感測(cè)元件結(jié)構(gòu)，其中該獨(dú)立立環(huán)的一上表面的上方還包括一密封墊，并且每一分離凸柱的一上表面的上方還包括一信號(hào)墊。

12.如權(quán)利要求6所述的感測(cè)元件結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電材質(zhì)至少包括一密封墊，以及至少一信號(hào)墊。

13.一種感測(cè)元件的制造方法，該制造方法包含：

制作一質(zhì)量晶片構(gòu)件，使該質(zhì)量晶片構(gòu)件具有一圖案化的上表面，并且該上表面上方備有多個(gè)第一觸接金屬；

制作一基板晶片構(gòu)件，使該基板晶片構(gòu)件的一上表面上方具有多個(gè)第二觸接金屬；

翻轉(zhuǎn)該質(zhì)量晶片構(gòu)件后，鉗緊并陽(yáng)極接合該基板晶片構(gòu)件，以組裝成一元件晶片；以及

該元件晶片進(jìn)行一種氧化層移除過(guò)程，且于該質(zhì)量晶片構(gòu)件的一中央?yún)^(qū)域形成一感測(cè)構(gòu)件于該基板晶片構(gòu)件的該上表面上方，并保留該質(zhì)量晶片構(gòu)件的一外環(huán)區(qū)域，以形成一立環(huán)構(gòu)件于該感測(cè)構(gòu)件的四周。

14.如權(quán)利要求13所述的感測(cè)元件的制造方法，其中，該元件晶片進(jìn)行該氧化層移除過(guò)程后，經(jīng)由一曝光顯影的蝕刻工藝中，來(lái)形成該感測(cè)構(gòu)件與該立環(huán)構(gòu)件的幾何形狀。

15.如權(quán)利要求13所述的感測(cè)元件的制造方法，其中，該立環(huán)構(gòu)件與該感測(cè)構(gòu)件之間由該多個(gè)第二觸接金屬電性連接。

16.如權(quán)利要求14所述的感測(cè)元件的制造方法，該制造方法還包括執(zhí)行執(zhí)行一金屬凸塊工藝，該金屬凸塊工藝將一金屬導(dǎo)電層加載于該質(zhì)量晶片構(gòu)件的一上表面的上方，并于該立環(huán)構(gòu)件的一上表面的上方圖案與蝕刻出一密封墊以及至少一信號(hào)墊。

17.如權(quán)利要求16所述的感測(cè)元件的制造方法，該制造方法還包括在該密封墊以及該至少一信號(hào)墊形成之前，在該至少一信號(hào)墊的下方形成至少一導(dǎo)孔，以及填入導(dǎo)電材料于該至少一導(dǎo)孔。

18.如權(quán)利要求16所述的感測(cè)元件的制造方法，該制造方法還包括以一曝光顯影的工藝以及一蝕刻方式，將該立環(huán)構(gòu)件圖案出一獨(dú)立立環(huán)與至少一個(gè)分離凸柱。

19.如權(quán)利要求18所述的感測(cè)元件的制造方法，該制造方法還包括在在該至少一信號(hào)墊的下方形成至少一導(dǎo)孔，以及填入導(dǎo)電材料于該至少一導(dǎo)孔，并且導(dǎo)電材料填入于該至少一導(dǎo)孔之前，先加載一絕緣層材料層以電性隔離該導(dǎo)電材料。