[發(fā)明專利]用于對(duì)中空體進(jìn)行等離子體處理的設(shè)備和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910164075.2
• 申請(qǐng)日: 2009-08-07
• 公開（公告）號(hào): CN101645386A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喬奇恩·克魯格;約翰·費(fèi)爾茲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 克朗斯股份公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01J37/02;H01J37/04;C23C16/44;C23C16/40
• 代理公司: 北京金信立方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 朱 梅;黃麗娟

1.一種用于對(duì)中空體(4)進(jìn)行等離子體處理的設(shè)備，其包括真空處理室 (2)和用于產(chǎn)生等離子體的裝置，該設(shè)備的特征在于，用于產(chǎn)生等離子體的 裝置包括設(shè)置在真空處理室(2)中的基本為U形剖面的電極(6)，并且該電極 以通道的形式沿著縱向延伸以在電極的內(nèi)部同時(shí)設(shè)置多個(gè)中空體，當(dāng)進(jìn)行 等離子體處理時(shí)中空體(4)至少部分置入U(xiǎn)形電極(6)中并且相對(duì)于U形電極 (6)至少暫時(shí)地移動(dòng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括至少兩個(gè) 獨(dú)立的抽吸裝置，一個(gè)抽吸裝置(14)在中空體(4)的內(nèi)部產(chǎn)生第一減壓(P2)， 而獨(dú)立的抽吸裝置(12)在真空處理室(2)的內(nèi)部但在中空體(4)的外部產(chǎn)生第 二減壓(P1)，所述第一減壓(P2)比第二減壓(P1)小。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一減壓(P2)比第 二減壓(P1)小至少10～2000倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述 用于產(chǎn)生等離子體的裝置包括用于產(chǎn)生高頻范圍的電磁場(chǎng)的發(fā)生器(10)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，所述發(fā)生器(10)產(chǎn)生在kHz和MHz 范圍的電磁場(chǎng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述 用于產(chǎn)生等離子體的裝置包括當(dāng)進(jìn)行等離子體處理時(shí)至少暫時(shí)地設(shè)置在中 空體(4)內(nèi)部的一個(gè)或多個(gè)管型對(duì)電極(8)，并且該管型對(duì)電極(8)沿著其縱軸 方向包括用于向中空體(4)中引入氣體的多個(gè)開口(18)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，所述管型對(duì)電極(8)包括 位于其至少一個(gè)位置上的至少一個(gè)磁體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于，所述管型對(duì)電極(8)包括 位于面向中空體底部的末端處的至少一個(gè)磁體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述 U形電極(6)包括多個(gè)單獨(dú)的部分(6a～d)。

10.一種用于對(duì)中空體(4)進(jìn)行等離子體處理的方法，其中，將所述中 空體(4)移入進(jìn)行等離子體處理的真空處理室(2)中，并通過電磁場(chǎng)產(chǎn)生等離 子體，其特征在于，當(dāng)進(jìn)行等離子體處理時(shí)，將中空體(4)至少部分置入產(chǎn) 生電磁場(chǎng)的U形電極(6)的內(nèi)部，并且至少暫時(shí)地相對(duì)于電磁場(chǎng)移動(dòng)，并且 所述電極以通道的形式沿著縱向延伸以在電極的內(nèi)部同時(shí)設(shè)置多個(gè)中空 體。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，該方法包括如下步驟：

-將管型對(duì)電極(8)置入中空體(4)的內(nèi)部；

-在中空體(4)中和真空處理室(2)中設(shè)定合適的壓力；

-加入一種或多種處理氣體并產(chǎn)生電磁場(chǎng)；

-以在等離子體處理過程中至少暫時(shí)將中空體(4)設(shè)置在U形電極(6)的 內(nèi)部，并且使中空體(4)相對(duì)于U形電極(6)移動(dòng)的方式在中空體(4)的內(nèi)部產(chǎn) 生等離子體。

12.根據(jù)權(quán)利要求10～11中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，設(shè)定 中空體(4)內(nèi)部的第一減壓(P2)并設(shè)定在真空處理室(2)內(nèi)部但在中空體外部 的第二減壓(P1)，所述第一減壓(P2)比所述第二減壓(P1)小。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一減壓(P2)比 所述第二減壓(P1)小至少10～2000倍。

14.根據(jù)權(quán)利要求10～11中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，通過 在高頻范圍內(nèi)的電磁場(chǎng)產(chǎn)生等離子體。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述，通過在kHz和 MHz范圍內(nèi)的電磁場(chǎng)產(chǎn)生等離子。

16.根據(jù)權(quán)利要求10～11中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在等 離子體處理過程中，使用由在場(chǎng)強(qiáng)和/或頻率方面不同的電磁場(chǎng)產(chǎn)生的不同 等離子體處理中空體(4)。