[發明專利]形成發光二極管裝置的方法有效
| 申請號： | 200910163587.7 | 申請日： | 2009-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN101667615A | 公開（公告）日： | 2010-03-10 |
| 發明（設計）人： | 陳鼎元;余振華;邱文智 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陳 晨 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 發光二極管 裝置 方法 | ||
1.一種形成發光二極管裝置的方法，包含：
提供一基底，該基底之上具有一摻雜層；
形成多個犧牲栓塞及發光二極管結構于該摻雜層之上，其中該發光二極 管結構介于該犧牲栓塞之間；
移除該犧牲栓塞得到多個開口；
借由該開口將該摻雜層轉換成一孔洞層；
形成一導電基底于該發光二極管結構之上；以及
沿著該孔洞層將該發光二極管結構由該基底上分離。
2.如權利要求1所述的形成發光二極管裝置的方法，其中分離該發光二 極管結構的步驟包含：切割該孔洞層以對該基底進行機械性分離。
3.如權利要求1所述的形成發光二極管裝置的方法，其中分離該發光二 極管結構的步驟包含：通過一化學蝕刻工藝移除該孔洞層。
4.如權利要求1所述的形成發光二極管裝置的方法，進一步包含沿著該 開口的側壁形成間隙壁。
5.如權利要求1所述的形成發光二極管裝置的方法，其中形成該孔洞層 的步驟包含在形成該發光二極管結構后利用電化學陽極化法將該摻雜層轉換 成該孔洞層。
6.如權利要求1所述的形成發光二極管裝置的方法，其中該導電基底的 形成至少部分是通過電鍍來達成。
7.如權利要求1所述的形成發光二極管裝置的方法，其中該導電基底的 形成至少部分是通過形成一摻雜硅層于該發光二極管結構之上來達成。
8.如權利要求1所述的形成發光二極管裝置的方法，其中該發光二極管 結構包含一具有紋理的表面。
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