[發(fā)明專利]制造具有凸塊的電子組件的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910163486.X | 申請日: | 2009-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN101656216A | 公開(公告)日: | 2010-02-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 小川健太 | 申請(專利權)人: | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 孫志湧;安 翔 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 具有 電子 組件 方法 | ||
1.一種制造電子組件的方法,包括:
在第一布線基板上形成凸塊;以及
將模具按壓在形成的凸塊上以形成凹部,
其中,從所述凸塊的前端部向著凸塊外圍形成所述凹部。
2.根據(jù)權利要求1所述的制造電子組件的方法,
其中,所述凸塊的前端部形成在凸塊中心線上。
3.根據(jù)權利要求1所述的制造電子組件的方法,
其中,所述凸塊的前端部形成為多個。
4.根據(jù)權利要求1所述的制造電子組件的方法,
其中,所述凹部形成在所述凸塊的表面上,使得呈現(xiàn)橢圓形狀。
5.根據(jù)權利要求1所述的制造電子組件的方法,
其中,所述凸塊由焊料組成。
6.根據(jù)權利要求1所述的制造電子組件的方法,
其中,通過在將焊料形成材料安裝在所述第一布線基板上之后熔化所述焊料形成材料,形成在所述第一布線基板上形成的所述凸塊。
7.根據(jù)權利要求6所述的制造電子組件的方法,
其中,所述凸塊形成材料被熔化,使得在所述第一布線基板上形成的所述凸塊具有球形形狀。
8.根據(jù)權利要求6所述的制造電子組件的方法,
其中,所述將所述模具按壓到形成的凸塊上以形成凹部的步驟包括:使得在按壓所述模具之后的凸塊高度小于當所述凸塊形成材料熔化以在所述第一布線基板上形成所述凸塊時的凸塊高度。
9.根據(jù)權利要求1所述的制造電子組件的方法,
其中,所述模具包括:
模具表面,其與所述第一布線基板表面相對,并且所述凸塊位于所述模具表面和所述第一布線基板表面之間;
凹入形狀部,其在所述模具表面上設置成矩陣;以及
具有突起形狀部的圖案,其形成在所述凹入形狀部的內表面上。
10.根據(jù)權利要求1所述的制造電子組件的方法,
其中,在具有所述凸塊形成材料的熔點或更低的溫度下,執(zhí)行在所述前端部形成所述凹部。
11.根據(jù)權利要求1所述的制造電子組件的方法,
其中,所述凹部形成為多個。
12.根據(jù)權利要求1所述的制造電子組件的方法,
其中,所述凹部形成為凹槽形。
13.根據(jù)權利要求12所述的制造電子組件的方法,
其中,所述凹槽的一端形成在所述凸塊的前端部處,并且所述凹槽的另一端形成在所述凸塊外圍處。
14.根據(jù)權利要求13所述的制造電子組件的方法,
其中,所述凹槽的所述另一端相對于距離h形成在與最遠離所述第一布線基板的凸塊表面上的位置相距h/4或更多的位置處,所述距離h是從所述第一布線基板的上表面直到與所述第一布線基板相距最遠的凸塊表面上的位置。
15.根據(jù)權利要求13所述的制造電子組件的方法,
其中,所述凹槽的所述另一端相對于距離h形成在與最遠離所述第一布線基板的凸塊表面上的位置相距h/2或更多的位置,所述距離h是從所述第一布線基板的上表面直到與所述第一布線基板相距最遠的凸塊表面上的位置。
16.一種制造電子組件的方法,包括:
將凸塊形成材料安裝在第一布線基板上;
熔化所述凸塊形成材料,以在所述第一布線基板上形成凸塊;
將模具按壓到形成的凸塊上,以形成凹部;
將焊料膏印刷在第二布線基板的電極上;
在印刷有所述焊料膏的所述第二布線基板的電極上,對所述第一布線基板上的所述凸塊執(zhí)行位置對準,以使前端部能夠與所述凸塊接觸;以及
加熱在其上安裝有所述第一布線基板的所述第二布線基板,
其中,所述凹部從與所述焊料膏接觸的所述凸塊的前端部向著外圍形成。
17.根據(jù)權利要求16所述的制造電子組件的方法,
其中,所述加熱在其上安裝有所述第一布線基板的所述第二布線基板的步驟包括:所述凸塊被形成為使得其再次呈現(xiàn)球形。
18.一種制造電子組件的方法,包括:
將模具按壓到其上形成有多個凸塊的第一布線基板的凸塊上以形成凹部;
將焊料膏或助熔劑印刷在第二布線基板的電極上;
在印刷有所述焊料膏的所述第二布線基板的電極上,對在所述第一布線基板上的凸塊執(zhí)行位置對準,以使前端部與所述凸塊接觸;以及
加熱在其上安裝有所述第一布線基板的所述第二布線基板,
其中,所述凹部從與所述焊料膏接觸的所述凸塊的前端部向著外圍形成。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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